Публикации: CH 64 - 2

11. BSC265N10LSF G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. модели: BSC265N10LSF G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 100 В, PG-TDSON-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: & & %&$!#E $ ;B 1 = -: > 5 ;= '= > ? ...
    27-03-2011

12. NTTFS5811NLTWG — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    .. модели: NTTFS5811NLTWG Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 17 А, 8WDFN Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTTFS5811NL Power MOSFET 40 V, 53 A, 6.4 ...
    06-04-2011

13. IPB081N06L3 G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. модели: IPB081N06L3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 60 В, PG-TO263-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Jf]R IPB081N06L3 G IPP084N06L3 G %&$!# 3 ...
    .. IPB081N06L3 G IPP084N06L3 G %&$!# 3 Power-Transistor Features R #562 =@C 7 9:89 76BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 4 C C H:E J? 64 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 6.7 МОм Rds(on) ...
    28-03-2011
14. SI7445DP-T1-GE3 — Datasheet Vishay -
    Datasheets
    

    .. модели: SI7445DP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: P CH полевой транзистор Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: -12 А Drain Source ...
    08-04-2011
15. IPD64CN10N G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. модели: IPD64CN10N G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 17 А, 100 В, PG-TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: $ $ ( %&$!# $ ;B 1 = -: > 5 ;= '= > ? ...
    28-03-2011
16. IPI08CN10N G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. модели: IPI08CN10N G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 95 А, 100 В, PG-TO262-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G ...
    28-03-2011
17. IPP084N06L3 G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. модели: IPP084N06L3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 60 В, PG-TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Jf]R IPB081N06L3 G IPP084N06L3 G %&$!# 3 ...
    .. IPB081N06L3 G IPP084N06L3 G %&$!# 3 Power-Transistor Features R #562 =@C 7 9:89 76BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 4 C C H:E J? 64 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 7 МОм Rds(on) ...
    28-03-2011
18. IPP08CN10N G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. модели: IPP08CN10N G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 95 А, 100 В, PG-TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G ...
    28-03-2011
19. IRLML9301TRPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    .. модели: IRLML9301TRPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор & диод, P CH, 30 В, 3.6 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 96310B IRLML9301TRPbF VDS VGS Max RDS(on) ...
    .. Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 96310B IRLML9301TRPbF VDS VGS Max RDS(on) max (@VGS = -10V) -30 ± 20 64 103 Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Drain Source Voltage Vds: -30 В On Resistance Rds(on): 51 МОм ...
    01-04-2011
20. PSMN7R0-60YS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: PSMN7R0-60YS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 89 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN7R0-60YS N-channel LFPAK 60 V 6.4 m standard ...
    04-04-2011

Сортировать по: релевантность / дата