Публикации: Designer - 3

21. IRFZ24PbF — Datasheet Vishay
    Datasheets
    

    Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
    15 апреля 2024

Купить Designer на РадиоЛоцман.Цены — от 9.00 до 1 010 727 ₽ 414 предложений от 32 поставщиков Максимальная длина видеокарты, мм: 461 Максимальная высота кулера, мм: 188 Материал лицевой стороны: сетчатая Встроенные вентиляторы: 2x180 Встроенные вентиляторы: …
Microfind Россия	The IRFP450PBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.	от 9.00 ₽	Купить
Энтеро Россия, Белоруссия, Казахстан	Design 7 мм	945 ₽	Купить

22. SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024

23. SiHFU9310 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
24. SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
25. SiHFR9310TRL-GE3 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
26. SiHFR9310TR-GE3 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
27. SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
28. SiHFR9310 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
29. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
30. IRFU9310 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024

Сортировать по: релевантность / дата