Публикации: Designer - 3

21. SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024

Купить Designer на РадиоЛоцман.Цены — от 45 до 143 340 ₽ 354 предложений от 32 поставщиков Назначение: очаг Расположение: фронтальный Установка: встраиваемый Режим работы: декоративный/обогрев Максимальная мощность (кВт): 1.5 Цвет: черный Габариты (ВxШxГ) …
ЧипСити Россия	DESIGN A FOR NASA	45 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	DESIGN1422	по запросу	Купить

22. SiHFR9310 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024

23. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
24. IRFU9310 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
25. IRFR9310TRLPbF — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
26. IRFR9310PbF — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
27. IRFR9310TRLPbF-BE3 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
28. IRFR9310TRPbF — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
29. IRFR9310TRRPbF — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024
30. IRFR9310 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
    28 марта 2024

Сортировать по: релевантность / дата