.. +20 В для полного включения и от 0 В до 5 В для надежного выключения. Для затвора нитрид-галлиевого полевого транзистора (650-вольтового) обычно достаточно только +5 В и 0 В. В некоторых случаях для выключения GaN полевого транзистора также ...
.. +15 V and +20 V to fully turn on and between 0 V and 5 V to reliably turn off. For the gate of a gallium nitride FET (GaN 650 V) usually only +5 V and 0 V are required. In some cases, a small negative voltage is also used to turn off the GaN ...
.. в режиме проверки диодов. По падению напряжения и проверяется. У германиевых оно где то от 300 - 400 мв у кремния от 500- 650 мв на маломощных. А вообще в этих квадратных немецких диодах нет нечего что бы на них что то сейчас собирать. ...
В ноябре и декабре действовала распродажа всё по 180 и я прикупился. Теперь можно рассказать что же купил в итоге. для пальца оксиметр оценка=хорошо, точность не знаю какая, шкала переворачивается. Зарядное устройство 4 USB 45Wt вроде работает, ...
.. нормальный и исправный и кабель оптический PON нормально, но че то через китайскую платку больше 130Мбит не идет а говорили 650. Я думаю плата может быть косячной. На 100МБит загрузка торрентов по траффику 10-11Мбайт /сек, а если 500Мбит то ...
.. . Среди силовых GaN-приборов АО НИИЭТ нормально закрытые транзисторы с допустимым напряжением сток исток от 100 до 650 В. Было уделено внимание и СВЧ-модулям на основе транзисторов собственной разработки. Докладчик представил дорожную ...
Подарили данный бесперебойник. Есть хотелка на мотоблоке с прицепом иметь 220в. Подключил от 72А/ч батареи 12в. Нагрузил двумя лампочками -заверещал как резанный. Дело оказалось в сечении проводов, видимо они давали просадку напряжения и при ...
.. 0.00‰ Лишение ВУ на 24 мес., штраф от 30 до 260 долларов Узбекистан 0.00‰ Заключение под стражу, штраф от 650 долларов Казахстан 0.00‰ Лишение ВУ на 24 мес., при повторном случае штраф в 20 МРП Украина 0.2‰ (0.9 ...
.. Q 2 (Рисунок 1б). Такая модификация позволяет тестовой схеме при комнатной температуре запускаться при напряжении всего 650 мВ. Однако обратите внимание, что в состоянии покоя переход коллектор-база транзистора Q 2 смещается в прямом ...
.. level by replacing D 1 with pnp transistor Q 2 (Figure 1b). This modification allows the test circuit to start up at just 650 mV at room temperature. Note, however, that Q 2 ’s collector-base junction becomes forward-biased under ...
Аккумулятор не заряжается. Там классическая неисправность, насколько я помню. Высыхает маленький электролит на 7-й ножке микросхемки 384x, на которой собран зарядник .. После замены конденсатора С38 (22мкФ 50В) зарядка восстановилась. А где он ...
.. насыщенная база транзистора Q1 обеспечивает низкоимпедансный (около 1 Ом) путь к земле со смещением V Q1B , равным примерно 650 мВ. Фаза выборки заканчивается перепрограммированием DIO1 на вывод лог. 0 . В результате верхняя обкладка ...
.. Q1’s forward-biased and saturated base provides a low impedance (~1 Ω) path to ground with an offset (V Q1B ) of ~650 mV. The acquisition phase ends with DIO1 being reprogrammed for a 0 output. This drives the top end of C1 to ...
