.. R5 кОм C4 мкФ VT2, VT3 1 U ВХ = 2 6 U ВЫХ = 1.5 5.9 I Н_МАКС = 0.04 22 3.3 1.2 33 VT2 маломощный кремниевый с h 21Э = 100 500, например КТ3102А К (2SC945L, JE9101C, BC123) и т. п. VT3 маломощный кремниевый, с h 21Э = 50 300, например ...
.. нескольких декад. Фототок фототранзистора Q1 создает сигнал на транзисторах Q2 и Q3, изменяющийся приблизительно на 500 мкВ пик-пик на каждый 1% изменения интенсивности падающего света, уровень которого примерно (например, без учета ...
.. of variability in available illumination. Q1’s photocurrent produces a signal across Q2 and Q3 that varies by ~500 µV pp for every 1% change in incident light intensity that’s roughly (e.g. neglecting various tempcos) ...
.. 9 В (Рисунок 1). В режиме обнаружения схема потребляет менее 10 мкА, а емкость щелочной батареи напряжением 9 В превышает 500 мА ч. Таким образом, одна батарея может прослужить более пяти лет, что эквивалентно сроку ее хранения. Когда ...
.. power (Figure 1). The circuit consumes less than 10 uA during detection mode, and a 9 V alkaline battery has greater-than-500-mAhr capacitance. So one battery can last more than five years, which is equivalent to the battery's shelf ...
.. подсказавший идею на Рисунке 6. Рисунок 6. Конденсатор C 3 добавляет фильтрацию пульсаций ШИМ 2-го порядка для примерно на 500% меньшего времени установления. Спасибо комментатору Валу Филимонову за предложение, показанное на Рисунке 7. ...
.. she has created that makes this kind of teamwork, well, workable! Figure 6. C 3 adds 2nd order PWM ripple filtering for ~500% faster settling time. Thanks go to frequent contributor Christopher R. Paul for the comment that suggested it. ...
.. и колебаний, вызванных быстрыми переходными процессами при переключениях. Фазные токи инвертора достигали 350 А (500 А в пике) при напряжении 400 В, хотя ограничения настройки тестовой системы не позволяли использовать более высокие ...
.. R/1.6 625.0 ВКЛ ВЫК ВКЛ ВЫК R1 ll {R4 + (R3 ll R5)} R × 0.6 600.0 ВЫК ВЫК ВКЛ ВКЛ 0111 R3 II R5 R3 II R5 R/2 500.0 ВКЛ ВКЛ ВЫК ВЫК 1001 (R1 II R2) II (R4 + R5) R1 II R5 II (R2 + R3) R/2.5 400.0 ВКЛ ВКЛ ВКЛ ВЫК (R1 II R2) ll ...
.. II (R2+R3))} R/1.6 625.0 ON OFF ON OFF R1 ll {R4 + (R3 ll R5)} R × 0.6 600.0 OFF OFF ON ON 0111 R3 II R5 R3 II R5 R/2 500.0 ON ON OFF OFF 1001 (R1 II R2) II (R4 + R5) R1 II R5 II (R2 + R3) R/2.5 400.0 ON ON ON OFF (R1 II R2) ll {R4+(R3 ...
.. I D при V GS = 0 В. Для транзистора, показанного на Рисунке 5, сопротивление в омической области составляет приблизительно 500 Ом (R DS = 1 В/2 мА = 500 Ом). И наоборот, в условиях неисправности, показанных на Рисунке 3, JFET находится в ...
.. of the I D curve with V GS = 0 V. For the transistor specified in Figure 5, the ohmic-region resistance is approximately 500 Ω (R DS = 1 V/2 mA = 500 Ω). Conversely, under the fault condition shown in Figure 3, the JFET is in ...
.. изменений в структуре заключается в механическом напряжении, возникающем во время обработки пленки при температуре около 500 C, когда аморфная пленка переходит в кристаллическое состояние. Во время переключения поляризации в микросхемах ...
