Публикации: GP - 6

51. VN0550N3-G-P013 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017

52. VN0106N3-G-P003 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017

53. VN0104N3-G-P013 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017
54. TN5325N3-G-P002 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017
55. TN2540N3-G-P002 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017
56. TN0620N3-G-P002 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017
57. TN0620N3-G-P014 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017
58. TN0610N3-G-P003 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017
59. TN0610N3-G-P013 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017
60. TN0606N3-G-P003 — Datasheet Microchip
    Datasheets
    Этот низкопороговый транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
    15 ноября 2017

Сортировать по: релевантность / дата