Публикации: ��������� �������� ��������� - 8

Данная книга предназначена в качестве учебника для студентов вузов, обучающихся по специальностям Музыкальная звукорежиссура , Звукорежиссура культурно-массовых представлений и концертных программ , Звукорежиссура аудиовизуальных искусств . Она ...

Целью лабораторных работ является усвоение основ методики и практики работы на волоконно-оптических кабельных линиях связи с использованием современных цифровых измерительных приборов для оценки характеристик оптических линий связи при проведении ...

В книге рассматриваются технологические, конструктивные, физические и схемотехнические основы реализации функциональных элементов и устройств микроэлектроники на основе резистивно-емкостных сред. Первый раздел книги описывает основы реализации ...

Учебное пособие соответствует требованиям Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования и предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки бакалавриата и магистратуры Оптотехника , Фотоника и ...

Рассказано о технологии создания автономных роботов на базе одноплатного компьютера Raspberry Pi и о разработке программ для них на языке С++. Показаны принципы написания и даны примеры кода для контроллера привода двигателя, продемонстрированы ...

Получилось. Один хороший человек посоветовал приклеивать трафарет к чипу на флюс. Итак, имеем здоровенную ARRIA10 от INTEL, шаг выводов 1.02. - Оплеткой снимаем с чипа остатки припоя - Наносим на чип тонкий (очень) слой флюса IF8300 - Накладываем ...

Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...

Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...

Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...

Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 300 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывной волны (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от 2400 ...