АО Ангстрем завершил цикл испытаний IGBT модуля AnM450HBE12M на 1200 В и 450 А в компактном корпусе 17×62×122 мм и готов предложить клиентам новую продукцию. АО Ангстрем единственное предприятие в России, разрабатывающее и производящее ...
Здравствуйте. Помогите со схемой powercom spider spd-650e или скажите что это за элемент. Дроссель? Через него шёл провод на выходные розетки. Датчик тока? Какой? Скорее всего это т.н. трансформатор тока. Сжечь его в бытовых условиях ИМХО ...
.. с типовой задержкой распространения 60 нс хорошо подходит для высокоскоростных приложений. В недавно анонсированных 650-вольтовых SiC MOSFET используется новая конструкция активных элементов в сочетании с передовой технологией тонких ...
.. plateau voltage) is suitable for high-speed operation as typical propagation delays are 60 ns. The recently-announced 650 V SiC MOSFETs employ a novel active cell design combined with advanced thin wafer technology enabling a ...
.. R2 для сохранения коэффициента деления делителя напряжения. Пересчитать можно по приблизительной формуле: R2=2.5×R1/650. Полученное сопротивление необходимо округлить в большую сторону из ближайших сопротивлений ряда. В схеме ...
.. расширять свой портфель полевых транзисторов, UnitedSiC представила шесть новых 650- и 1200-вольтовых приборов, размещенных в стандартном для отрасли корпусе для поверхностного монтажа D2PAK-7L. Эти ...
.. continues to expand its FET portfolio with the introduction of six new 650 V and 1200 V options, all housed in the industry standard D2PAK-7L surface mount package. Available in 30, 40, 80 ...
.. с логическими уровнями управления ( 1EDB7275F ); 0 В для MOSFET с нормальными уровнями управления ( 1EDB8275F ) 12 В для 650-вольтовых MOSFET CoolSiC (15-вольтовая схема управления, 1EDB6275F ) 12 В для 650-вольтовых MOSFET CoolSiC (схема ...
.. 0 V for logic-level MOSFETs ( 1EDB7275F ) 0 V for normal-level MOSFETs ( 1EDB8275F ) 12 V for CoolSiC™ MOSFETs 650 V (15 V driving scheme, 1EDB6275F ) 14 V for CoolSiC™ MOSFETs 650 V (≥18 V driving scheme, 1EDB9275F ) ...
.. надежным. Эксперименты выполнялись на 120-ваттном сетевом адаптере, в котором в качестве активных ключей использовались 650-вольтовые MOSFET с сопротивлениями каналов 99 мОм, заменявшие два диода в нижнем плече моста. На Рисунке 4 видно, ...
.. without any risk of shoot-through. The experimental results were carried out based on a 120 W adapter design, in which 650 V, 99 mΩ MOSFETs are used as the active switch, thus replacing two low-side bridge diodes. Figure 4 shows how ...
.. компании Texas Instruments SQJA81EP лучший в отрасли 80-вольтовый автомобильный P-MOSFET 2ED2101/03/04, 2ED2110S06M новые 650-вольтовые драйверы полумостов семейства EiceDRIVER SiC8xx новое семейство сильноточных интеллектуальных силовых ...
