Публикации: SOT-363 - 8

71. BAS70-07S — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: BAS70-07S Производитель: NXP Описание: Диод, Шоттки, SOT-363 Спецификации: Diode Type: Schottky Forward Current If(AV): 70 мА Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 70 В Forward Voltage VF Max: 1 В Forward Surge Current Ifsm Max: ...
    27 апреля 2011

72. MUN5312DW1T1G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    

    Наименование модели: MUN5312DW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: BRT транзистор, 50 В, 22K/22KOHM, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN & PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Рассеиваемая мощность: 187 мВт DC ...
    7 июня 2011

73. MUN5335DW1T1G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    

    .. модели: MUN5335DW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: BRT транзистор, 50 В, 47K/2.2KOHM, SOT363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN & PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Рассеиваемая ...
    24 мая 2011
74. BAW56DW-TP — Datasheet MCC -
    Datasheets
    Наименование модели: BAW56DW-TP Производитель: MCC Описание: SWITCHING диод, 75 В, SOT-363 Спецификации: Diode Type: Switching Forward Current If(AV): 150 мА Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 75 В Forward Voltage VF Max: 1.25 В Reverse Recovery ...
    31 августа 2011
75. MMDT4401-TP — Datasheet MCC -
    Datasheets
    Наименование модели: MMDT4401-TP Производитель: MCC Описание: Биполярный транзистор, NPN, 40 В постоянный ток, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В Рассеиваемая мощность: 200 мВт DC Collector ...
    4 сентября 2011
76. MMDT5551-TP — Datasheet MCC -
    Datasheets
    Наименование модели: MMDT5551-TP Производитель: MCC Описание: Биполярный транзистор, NPN, 160 В постоянный ток, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В Рассеиваемая мощность: 200 мВт DC Collector ...
    4 сентября 2011
77. BSS138BKS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: BSS138BKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.36 А, SOT363 RoHS: есть
    13 сентября 2011
78. UMX18NTN — Datasheet Rohm -
    Datasheets
    

    Наименование модели: UMX18NTN Производитель: Rohm Описание: Транзистор, NPNNPN, 12 В, 0.5 А, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: EMX18 / UMX18N Transistors General purpose transistors (dual transistors) EMX18 / UMX18N Features ...
    11 апреля 2011
79. UMX4NTR — Datasheet Rohm -
    Datasheets
    

    Наименование модели: UMX4NTR Производитель: Rohm Описание: Транзистор, NPNNPN, 20 В, 0.05 А, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: EMX4 / UMX4N / IMX4 Transistors High transition frequency (dual transistors) EMX4 / UMX4N / IMX4 ...
    11 апреля 2011
80. MBT2222ADW1T1G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    

    .. модели: MBT2222ADW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Биполярный транзистор, NPN, сдвоенный, 40 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MBT2222ADW1T1G General Purpose Transistor NPN Silicon ...
    11 апреля 2011

Сортировать по: релевантность / дата