Публикации: SOT-363 - 9

81. UMD6NTR — Datasheet Rohm -
    Datasheets
    

    Наименование модели: UMD6NTR Производитель: Rohm Описание: Транзистор сдвоенный UM6 PNP/NPN Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: EMD6 / UMD6N / IMD6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD6 / UMD6N / IMD6A Features ...
    4 марта 2012

82. PMBT3946YPN — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: PMBT3946YPN Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN/NPN, 40 В, 200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMBT3946YPN 40 V, 200 mA NPN/PNP general-purpose double ...
    2 марта 2012

83. PMBT3904YS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: PMBT3904YS Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN/NPN, 40 В, 200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMBT3904YS 40 V, 200 mA NPN/NPN general-purpose double ...
    2 марта 2012
84. BC856BS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: BC856BS Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BC856BS 65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor Rev. ...
    1 марта 2012
85. PMG85XP — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: PMG85XP Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TS SO P6 PMG85XP 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- ...
    1 марта 2012
86. NX6020NBKS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: NX6020NBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363 Спецификации: SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) RoHS: есть
    1 марта 2012
87. NX3008PBKS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: NX3008PBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008PBKS 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 ...
    1 марта 2012
88. NX3008NBKS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: NX3008NBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008NBKS 30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 ...
    1 марта 2012
89. NX3008CBKS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: NX3008CBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008CBKS 30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET ...
    1 марта 2012
90. PMGD280UN — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: PMGD280UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD280UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET ...
    12 ноября 2011

Сортировать по: релевантность / дата