Публикации: транзисторов

1. International Rectifier представляет высокоэффективный чипсет для телекоммуникационных DC/DC конверторов на базе 100-вольтовых МОП-транзисторов DirectFET^TM и мостового контроллера IR2086S
   Новости Питание International Rectifier IR2086S IRF6613 IRF6614 IRF6644 IRF6655
   .. питания радиоусилителей базовых станций радиорелейных линий. Новый оптимизированный чипсет, состоящий из силовых МОП-транзисторов DirectFET новой серии и новой ИС контроллера IR2086S , разработан для применения в конверторах с ...

   International Rectifier Introduces High-Efficiency DirectFET^TM MOSFET and Controller Chip Set Solution for DC-DC Converter Applications

   100V and 40V DirectFET MOSFETs work with full-bridge controller IC for cooler, more compact power solutions in 48V networking, telecommunications and high-end computing systems International Rectifier (IR) introduced a new chip set solution for ...

   7 января 2005

Купить транзисторов на РадиоЛоцман.Цены — от 0.49 до 45 000 ₽ 1003 предложений от 7 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
СЭлКом Россия и страны СНГ	BC847C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 271186)	от 0.49 ₽	Купить
Элитан Россия	BC847C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 271186)	0.82 ₽	Купить

2. International Rectifier (IR) расширяет семейство сильноточных низковольтных МОП-транзисторов в 7-выводном корпусе D2Pak для силовой автоэлектроники
   Новости Дискретные компоненты International Rectifier IRF3805S-7P IRF1405ZS-7P
   .. International Rectifier анонсировала два новых 55-вольтовых силовых МОП-транзисторов в модифицированном корпусе D2Pak , отвечающих треборваниям норм Q-101 для компонентов устройств ...

   International Rectifier (IR) Introduces 55V High-Current Q101-Qualified MOSFETs in D2Pak for Heavy-Duty Automotive Applications

   International Rectifier, IR introduced a pair of new 55V-rated Q101-qualified automotive HEXFET® power MOSFETs rated for continuous duty in the D2Pak outline. The new 55V devices are an addition to recently-introduced 40V devices and are ...

   20 января 2005

3. AMD и IBM объявляют о новой технологии производства транзисторов на основе напряженного кремния
   Новости Технологии электронных компонентов AMD
   .. энергопотребление одно- и многоядерных процессоров будущего AMD и IBM объявили о разработке новой технологии производства транзисторов на основе напряженного кремния , позволяющей повысить производительность и снизить ...

   AMD and IBM Announce Semiconductor Manufacturing Technology Breakthrough

   Industry-First Advancement Can Improve Performance, Conserve Power in Future Single- and Multi-Core Processors AMD and IBM announced that they have developed a new and unique strained silicon transistor technology aimed at improving processor ...

   2 февраля 2005
4. IBM продемонстрировала новый метод повышения производительности стандартных транзисторов ИС
   Новости Технологии электронных компонентов IBM
   .. IBM объявила, что ей удалось разработать метод трехкратного повышения производительности стандартных транзисторов интегральных схем с помощью технологического процесса, совместимого с традиционной ...
   4 февраля 2005
5. International Rectifier представляет чипсет на базе DirectFET^TM транзисторов, который экономит 40% площади печатной платы в Point-of-Load конверторах
   Новости Питание Силовая электроника International Rectifier IRF6610 IRF6636
   .. International Rectifier анонсировала чипсет из двух 20-вольтовых DirectFET TM транзисторов для синхронных понижающих DC/DC конверторов. Транзисторы IRF6610 и IRF6636 в малом тироразмере ...

   International Rectifier Introduces DirectFET^TM MOSFET Chip Set 40% Smaller than SO-8 for High Density Point of Load Converters

   International Rectifier, IR introduced a new 20V DirectFET TM MOSFET synchronous buck converter chip set. The IRF6610 and IRF6636 small can DirectFET MOSFET pair has performance similar to a pair of SO-8 MOSFETs with a 40% size reduction. The chip ...

   11 сентября 2005
6. Изолированный драйвер затворов SiC транзисторов компании Maxim обеспечивает лучший КПД в своем классе приборов
   Новости Драйверы Силовая электроника Maxim MAX22701E
   .. источников питания. Во многих импульсных источниках питания для повышения энергоэффективности и надежности транзисторов используются приборы на основе широкозонного карбида кремния (SiC). Однако переходные процессы, ...

   Maxim's Isolated Silicon Carbide Gate Driver Provides Best-in-Class Power Efficiency and Increased System Uptime

   MAX22701E reduces overall system energy loss by 30 percent and improves system uptime with up to 3x higher CMTI performance With the MAX22701E isolated gate driver from Maxim Integrated Products designers of high-voltage/high-power systems can ...

   24 декабря 2019
7. Высокоточный усилитель звуковой частоты со встроенным высоковольтным драйвером внешних транзисторов
   Схемы Аудио National Semiconductor LM4702
   .. является высокий уровень питающего напряжения, что позволяет получить высокую выходную мощность при использовании внешних транзисторов. Как показывает практика применения микросхем усилителей мощности ЗЧ (звуковой частоты), ...
   30 марта 2007
8. Диоды семейства Rapid — идеальные «партнеры» для транзисторов CoolMOS и TRENCHSTOP 5
   Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon
   С выпуском новых семейств 650-В диодов Rapid 1 и Rapid 2 компания Infineon выходит на рынок высоковольтных сверхбыстродействующих кремниевых диодов. Эти новые семейства дополняют линейку 600/650-В диодов Infineon высокой мощности и заполняют пробел ...

   Rapid Diodes - The Perfect Partner to CoolMOS and TRENCHSTOP 5

   Infineon has entered the high-voltage hyperfast silicon diode market with the launch of its new 650V Rapid 1 and Rapid 2 diode families. These new diode families complement Infineon’s existing high-power 600V/650V diode range, closing the gap ...

   6 ноября 2013
9. Аналог транзисторов С5779 и А2064
   Форум
   .. аналоги транзисторов С5779 и А2064. BDX33C BDX34C MJE15032 MJE15033 Надо отечественные аналоги.
   27 мая 2006
10. КПД новых мощных радиочастотных транзисторов Ampleon достигает 80%
    Новости Радиочастотные компоненты Дискретные компоненты Ampleon BLF974P BLF978P
    .. Ampleon объявила о появлении двух новых 50-вольтовых приборов в семействе высокоэффективных мощных Si LDMOS транзисторов радиочастотного диапазона девятого поколения. Транзисторы BLF978P и BLF974P , разработанные для ...

    Ampleon releases "breakthrough" Si LDMOS devices reaching 80% efficiency for VHF and UHF applications

    Ampleon announced two additions to its 9th generation line-up of high-performance 50 V Si LDMOS high-efficiency RF power transistors. Designed for use in ultra-high-power RF power amplifiers, capable of delivering hundreds of kilowatts, the BLF978P ...

    9 июля 2020

Сортировать по: релевантность / дата