.. могут использоваться в диапазоне приложений от 30 Вт до 300 Вт. Сопротивления открытых каналов транзисторов BUK7M3R3-40H и BUK9M3R3-40H (стандартный и логический уровень управления, соответственно) составляют всего 3.3 мОм. Уменьшенное ...
.. of 48% when compared to previous technology devices, covering a range of applications from 30 W up to 300 W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature an R DS(on) of just 3.3 mΩ. Improved R DS(on) and ...
.. прижимном контакте, обеспечивает снижение этой индуктивности на 60%. Новые MOSFET полумосты получили обозначения BUK7V4R2-40H и BUK9V13-40H . В производстве обоих приборов используется надежный кремниевый техпроцесс Trench 9, разработанный ...
.. LFPAK56D half-bridge package achieves 60% less inductance. The new LFPAK56D half-bridge MOSFETs launched are the BUK7V4R2-40H and the BUK9V13-40H . Both utilise the highly robust Trench 9 automotive silicon process technology, are rated at ...
.. с сопротивлениями открытых каналов 0.55 мОм в высоконадежных корпусах LFPAK88, предназначенных для автомобильных ( BUK7S0R5-40H ) и промышленных ( PSMNR55-40SSH ) приложений. Эти устройства имеют самые низкие сопротивления открытых каналов ...
.. announced new 0.55 mΩ R DS(on) 40 V power MOSFETs in the high-reliability LFPAK88 package for automotive ( BUK7S0R5-40H ) and industrial ( PSMNR55-40SSH ) applications. These devices are the lowest R DS(on) 40 V parts that Nexperia has ...
.. (т.е. она может быть как у нас говорят плюс минус 100% :p) стр 32, тема разговорный узел. там 3 консатора, один 20H, 40H и 20mk*18В, с последним все ясно,а вот с этими нет. самое интересное в других схемах нанофарады обозначаются как ...
.. на столь скромные размеры, предоставляет даже некоторые возможности PnP. Карта microcart предоставляет один байт с адресом 40H для чтения или записи в пространство конфигурации шины PCI. При чтении на старший нибл данного байта отображаются ...
.. 84h mvi a, 00h ; ст. байт out 84h lxi d, 3377h ; синхросимволы xra a ; INIT ВВ51 out 89h ; поиск CI out 89h out 89h mvi a, 40h ; сброс out 89h mvi a, 08h ; синхр.режим, 7 бит, 2 синхр.си out 89h ; внутр. синхр., нет контроля mov a, d ; первый ...
.. Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97565A IRLHM620PbF VDS VGS max RDS(on) max (@VGS = 4.5V) 20 ±12 2.5 3.5 52 40h Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 26 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On ...
.. Datasheet ON Semiconductor FDN335N Datasheet ON Semiconductor FDN336P Приложение. Команды I 2 C Запись в MAX1661 (адрес = 40h): F3h F2h Разомкнуть все ключи; затем замкнуть измерительные ключи Запись в MAX1661 (адрес = 30h): 09h 48h Запись ...
.. FDN335N Datasheet ON Semiconductor FDN336P Application. Teams I 2 C I 2 C instructions Write to MAX1661 (address = 40h): F3h F2h Turn off all switches; Then turn on measurement switches Write to MAX1618 (address = 30h): 09h 48h Write ...
Наименование модели: STPS40H100CW Производитель: STMicroelectronics Описание: Шоттки выпрямитель, CMN CTHD, 40 А TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ® STPS40H100CW HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER MAIN PRODUCT ...
Автомобильный стандартный N-канальный MOSFET в корпусе LFPAK33 с использованием технологии Trench 9 TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован по AEC-Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.
