Аналоги реле Phoenix Contact, Finder, Omron, ABB, Schneider

Публикации: CANNON 25 5M - 4

Поиск по: "CANNON 25 5M"
Найдено: 40,430 Вывод: 31-40   В том числе: 25 (40299); 5M (196); CANNON (8).
  1. Datasheet FDMS5672 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, MLP
    .. документа: FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET December 2007 FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 60V, 22A, 11.5m Features General Description UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power ...
    24-03-2011
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок
  1. Datasheet FDP8860 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-220
    .. Vgs th Min: 1 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220 Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS Fischer Elektronik - WLK 5
    .. документа: FDP8860 N-Channel PowerTrench® MOSFET September 2006 FDP8860 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 80A, 2.5m Features General Description Max rDS(on) = 2.5m at VGS = 10V, ID = 80A Max rDS(on) = 2.9m at VGS = 4.5V, ID = 80A Low ...
    24-03-2011
  1. Datasheet FDP8880 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-220
    .. Корпус транзистора: TO-220 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 54 А Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Расстояние между выводами: 2.54 мм Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: ...
    .. FDP8880 / FDB8880 February 2005 FDP8880 / FDB8880 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 54A, 11.6m Features r DS(ON) = 14.5m, VGS = 4.5V, ID = 40A r DS(ON) = 11.6m, VGS = 10V, ID = 40A High performance trench technology for extremely low r ...
    24-03-2011
  2. Datasheet FDS8447 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, SO-8
    .. FDS8447 Single N-Channel PowerTrench® MOSFET November 2006 FDS8447 Single N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 12.8A, 10.5m Features Спецификации: Continuous Drain Current Id: 12.8 А Current Id Max: 12.8 А Drain Source Voltage Vds: 40 В On ...
    25-03-2011
  3. Datasheet FDD8586 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK
    .. FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET January 2007 FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET 20V, 35A, 5.5m Features General Description Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 10V, ID = 35A Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 4.5V, ID = 33A Low ...
    26-03-2011
  4. Datasheet FDS8874 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SO-8
    .. содержание документа: FDS8874 N-Channel PowerTrench® MOSFET August 2005 FDS8874 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 16A, 5.5m Features rDS(ON) = 5.5m, VGS = 10V, ID = 16A rDS(ON) = 7.0m, VGS = 4.5V, ID = 15A High performance trench technology ...
    26-03-2011
  5. Datasheet FDMS8660S - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, POWER56
    .. SyncFETTM 30V, 40A, 2.4m Features General Description Max rDS(on) = 2.4m at VGS = 10V, ID = 25A Max rDS(on) = 3.5m at VGS = 4.5V, ID = 21A Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency SyncFET Schottky ...
    26-03-2011
  6. Datasheet FDMS8670S - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, MLP
    .. документа: FDMS8670S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM May 2009 FDMS8670S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30V, 42A, 3.5m Features Max rDS(on) = 3.5m Max rDS(on) = 5.0m at VGS = 10V, ID = 20A at VGS = 4.5V, ID = 17A Спецификации: ...
    26-03-2011
  7. Datasheet FDS8813NZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, SO-8
    .. документа: FDS8813NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET November 2008 FDS8813NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 18.5A, 4.5m Features Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 18.5 А Drain Source Voltage ...
    26-03-2011
  8. Datasheet FDU8586 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, I-PAK
    .. (15-Dec-2010) Альтернативный тип корпуса: TO-251AA Capacitance Ciss Typ: 1865 пФ Current Id Max: 35 А Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Температура перехода максимальная: 175°C Температура перехода минимальная: ...
    .. FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET January 2007 FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET 20V, 35A, 5.5m Features General Description Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 10V, ID = 35A Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 4.5V, ID = 33A Low ...
    26-03-2011

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "CANNON 25 5M" в других поисковых системах: DataSheet.ru
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России