Нитрид-галлиевые транзисторы превосходят кремниевые силовые ключи по целому ряду параметров. Они обеспечивают минимальные потери и отличаются высокой рабочей частотой. В то же время использование GaN-транзисторов имеет целый ряд особенностей. В ...
Два новых драйвера МОП-транзисторов могут использоваться в наносекундных лидарах и 50-мегагерцовых DC/DC преобразователях Расширяя портфель своих уникальных нитрид-галлиевых (GaN) приборов, Texas Instruments (TI) анонсировала выпуск двух новых ...
Two new FET drivers benefit nanosecond LIDAR applications and 50-MHz DC/DC converters Expanding on its industry-leading gallium nitride (GaN) power portfolio, Texas Instruments (TI) announced two new high-speed GaN field-effect transistor (FET) ...
24-04-2018
Поиск "EVM006" в других поисковых системах: DataSheet.ru
