.. полумоста 600 В с высокой плотностью мощности с двумя режимами улучшения GaN HEMT MASTERGAN2 - это усовершенствованная комплексная система питания, объединяющая драйвер затвора и два улучшенных ...
.. полумоста 600 В с высокой плотностью мощности с двумя режимами улучшения GaN HEMT MASTERGAN2 - это усовершенствованная комплексная система питания, объединяющая драйвер затвора и два улучшенных ...
.. STMicroelectronics (ST) создала высоковольтный полумостовой драйвер, ставший первым устройством в новом семействе MasterGaN2 , содержащим два асимметричных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора и обеспечивающим интегрированное ...
.. upon the advantages of STMicroelectronics’ MasterGaN platform, MasterGaN2 is the first in the new family to contain two asymmetric gallium-nitride (GaN) transistors, ...
.. полумоста 600 В с высокой плотностью мощности с двумя режимами улучшения GaN HEMT MASTERGAN2 - это усовершенствованная комплексная система питания, объединяющая драйвер затвора и два улучшенных ...