Наименование модели: MJD350T4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Биполярный транзистор, PNP, -300 В Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В Power Dissipation Pd: 15 ...
21-03-2011
Поиск "MJD350T4" в других поисковых системах: DataSheet.ru