.. for applications requiring extremely high Current gain at collector Currents to 1.0A. · Sourced from process 05. · See MPSA14 for characteristics. Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В ...
.. designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A. · Sourced from Process 05. · See MPSA14 for characteristics. 1 RoHS: есть
.. is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A. · Sourced from process 05. · See MPSA14 for characteristics. TO-92 1 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 20 ...
Наименование модели: MPSA14RLRAG Производитель: ON Semiconductor Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 30 В, TO-92 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В Transition Frequency Typ ft: 125 ...
.. Производитель: ON Semiconductor Описание: Транзистор, NPN, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MPSA13, MPSA14 MPSA14 is a Preferred Device Darlington Transistors NPN Silicon Features Спецификации: Полярность ...
.. Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 30 В, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MPSA13, MPSA14 MPSA14 is a Preferred Device Darlington Transistors NPN Silicon Features Спецификации: Полярность ...