N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS Режим улучшения N-канала логического уровня. Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для ...
6 мая 2024
Поиск "SI2302DS,215" в других поисковых системах: DataSheet.ru