Публикации: SQD30N05-20L -GE3

1. DG2001EDV-T1-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Защита от отключения питания, 0,85 , 1,8 В - 5,5 В, SPDT аналоговый переключатель (мультиплексор 2:1) DG2001E — это высокопроизводительный однополюсный двухпозиционный (SPDT) аналоговый переключатель, предназначенный для работы в диапазоне ...
   14 февраля 2025

Купить SQD30N05-20L -GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.56 до 175 ₽ 78 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, VISHAY SQD30N05-20L -GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30A, 55V, 0.016Ω, 10V, 2V
727GS Весь мир	SQD30N05-20L_T4GE3 Vishay	от 7.56 ₽	Купить
Триема Россия	SQD30N05-20L-GE3	142 ₽	Купить

2. SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024

3. SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
4. SiHFR9310TRL-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
5. SiHFR9310TR-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
6. SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
7. SiC967ED-T1-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   

   Входное напряжение от 4,5 до 60 В, 6 А, модуль регулятора постоянного/постоянного тока microBRICK
   7 декабря 2023
8. SiC967ED-Y1-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   

   Входное напряжение от 4,5 до 60 В, 6 А, модуль регулятора постоянного/постоянного тока microBRICK
   7 декабря 2023
9. SiC951ED-T1-GE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   

   Входное напряжение от 4,5 до 20 В, 25 А Модуль регулятора постоянного/постоянного тока microBRICK с интерфейсом PMBus
   7 декабря 2023
10. SiC951ED-Y1-GE3 — Datasheet Vishay
    Datasheets
    

    Входное напряжение от 4,5 до 20 В, 25 А Модуль регулятора постоянного/постоянного тока microBRICK с интерфейсом PMBus
    7 декабря 2023

Сортировать по: релевантность / дата