В этом низкопороговом транзисторе с улучшенным режимом (нормально выключенном состоянии) используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
В этом низкопороговом транзисторе с улучшенным режимом (нормально выключенном состоянии) используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
15 ноября 2017
Поиск "TP2435" в других поисковых системах: DataSheet.ru