Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Микросхема интеллектуального смещения гарантирует компенсацию разброса пороговых напряжений GaAs полевых транзисторов при крупносерийном производстве

АвторыKen Yang
Основной документСтатья «Схема компенсации разброса напряжения включения GaAs MESFET»
ОписаниеРисунок 1
Формат / Размер файлаPDF / 44 Кб
Язык документарусский

Микросхема интеллектуального смещения гарантирует компенсацию разброса пороговых напряжений GaAs полевых транзисторов при крупносерийном производстве

ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка