Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Простое параллельное включение дополнительных n- и p-канальных MOSFET может выглядеть хорошо, но не будет работать при напряжении |V_A - V_B|, превышающем нескольких сотен мВ

Авторы	Stephen Woodward
Основной документ	Статья «Синтез точных биполярных реостатов на основе цифровых потенциометров»
Описание	Рисунок 3
Формат / Размер файла	PDF / 19 Кб
Язык документа	русский

Другие материалы из основного документа

Статья «Синтез точных биполярных реостатов на основе цифровых потенциометров»

Рисунок 1. Классическое регулируемое сопротивление; R_MAX = R_S + R_R; R_MIN = R_S
Рисунок 2. Искусственный цифровой потенциометр позволяет избежать проблем с помощью шунта на полевых транзисторах, точных постоянных резисторов и операционного усилителя
Рисунок 3. Простое параллельное включение дополнительных n- и p-канальных MOSFET может выглядеть хорошо, но не будет работать при напряжении |V_A - V_B|, превышающем нескольких сотен мВ
Рисунок 4. Две комплементарные пары встречно-последовательных полевых транзисторов, соединенные параллельно, обеспечивают биполярный режим работы

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring