Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Соотношение между наихудшим временем нарастания и сопротивлением нагрузки для базовой схемы включения фототранзистора показывает, что при T_R = 42 мкс R_LOAD должно быть равно 7.5 кОм

Авторы	David Magliocco
Основной документ	Статья «Схема оптимизирует быстродействие фототранзистора»
Описание	Рисунок 2
Формат / Размер файла	PDF / 12 Кб
Язык документа	русский

Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Другие материалы из основного документа

Статья «Схема оптимизирует быстродействие фототранзистора»

Рисунок 1. С резистором 1 кОм простой фототранзистор (а) имеет время нарастания/спада 5-8 мкс. Операционный усилитель может уменьшить время отклика фототранзистора (б), но без дополнительной фазовой коррекции схема работает плохо. В качестве альтернативы можно испол
Рисунок 2. Соотношение между наихудшим временем нарастания и сопротивлением нагрузки для базовой схемы включения фототранзистора показывает, что при T_R = 42 мкс R_LOAD должно быть равно 7.5 кОм

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Индикаторы и дисплеи азиатского производства для проектов любой сложности

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring