Очень часто при проектировании источника питания на микросхемах Power Integrations возникают неполадки, которые можно устранить достаточно легко. Прочитав файл ниже, вы сможете быстро "установить диагноз" и исправить неполадку.
1) Источник питания не запускается.
Причина 1 :
Токи переключения "защелкивают" защиту.
Решение :
Используйте подключение Кельвина (заземление одной точкой) для всех конденсаторов, подключенных к выводу исток. Минимизируйте длину дорожки на вывод исток. Улучшите печатную плату (см. Application Notes). Изолируйте электрически радиатор от цепи.
Причина 2:
Очень маленькое напряжение на цепи поглощения высоковольтного выброса первичной обмотки трансформатора.
Решение:
Увеличьте напряжение на цепи поглощения выброса до уровня 1,5 от уровня отраженного выходного напряжения.
Причина 3:
Вторичная обмотка подключена наоборот.
Решение:
Подключите правильно обмотку.
Причина 4:
Вышел из строя выходной выпрямитель или цепь поглощения высоковольтного выброса на первичной обмотке трансформатора.
Решение:
Замените вышедшие из строя детали.
Причина 5:
Высокий ток оптопары при старте "защелкивает" защиту.
Решение:
Увеличьте номинал резистора, подключенного последовательно к светодиоду оптопары. Используйте оптопару с коэфициентом усиления по току CTR между 50% и 200%. Добавьте резистор (от 270 Ом до 620 Ом) параллельно с эммитером оптопары.
Причина 6:
R3 превышает 15 Ом.
Решение:
Добавьте конденсатор номиналом 0,1 uF между выводом Control и Исток.
2) Микросхема Power Integrations выходит из строя при включении или перегрузке.
Причина:
Недостаточное поглощение высоковольтного выброса на стоке микросхемы или большая индукция рассеяния первичной обмотки трансформатора, которая вызывает высокое напряжение сток-исток.
Решение:
Используйте диод Зенера в цепи поглощения высоковольтного выброса. Убедитесь, что напряжение на стоке ниже критического. Снизьте индукцию рассеяния трансформатора (используйте специальную технология намотки).
3) Низкий КПД.
Причина 1:
Очень маленькое напряжение на цепи поглощения высоковольтного выброса первичной обмотки трансформатора.
Решение:
Увеличьте напряжение на цепи поглощения выброса до уровня 1,5 от уровня отраженного выходного напряжения.
Причина 2:
Блокировочный диод на цепи поглощения высоковольтного выброса первичной обмотки трансформатора - имеет очень малую скорость переключения или очень низкий уровень напряжения пробоя.
Решение:
Используйте диод класса Ultra Fast с рабочим напряжением 400 Вольт.
Причина 3:
Выходной выпрямительный диод недостаточно быстр.
Решение:
Используйте диод класса Ultra Fast.
Причина 4:
Выходной выпрямительный диод имеет недостаточное напряжение пробоя.
Решение:
Используйте диод с повышенным напряжением пробоя.
Причина 5:
Низкая индукция первичной обмотки трансформатора, которая вызывает высокие среднеквадратические токи.
Решение:
Увеличьте индукция первичной обмотки трансформатора. Увеличьте соотношение витков обмоток трансформатора для большего рабочего цикла и меньших пиковых токов.
Причина 6:
Ток микросхемы или уровень мощности очень мал.
Решение:
Используйте более мощную микросхему. Установите или увеличьте теплоотвод.
4) Микросхема работает на частоте 50 kHz (или на нижней гармонике от рабочей частоты в 100 kHz).
Затянуты фронты включения на стоке микросхемы.
Причина 1 :
Избыточная емкость цепи поглощения высоковольтного выброса.
Решение :
Используйте цепь на основе диода Зенера.
Причина 2:
Избыточная емкость демпфирующей RC цепочки.
Решение:
Отключите или уменьшите RC демпфирование в первичной и вторичной цепях.
Причина 3:
На выходной обмотке стоят "медленные" диоды (с высоким временем восстановления).
Решение:
Используйте диоды класса UltraFast. Добавьте радиатор на выходной диод.
Причина 4:
Избыточная емкость первичной обмотки трансформатора.
Решение:
Перемотайте первичную обмотку трансформатора, добавив дополнительную изоляцию между слоями для снижения емкости (см. AN-18) Уменьшите число витков первичной обмотки.
5) Диод Зенера в цепи поглощения высоковольтного выброса имеет очень высокую температуру.
Причина:
Напряжение обратного хода превышает максимально допустимое для диода Зенера.
Решение:
Используйте диод Зенера с рабочим уровнем напряжения в 1,5 раза выше напряжения обратного хода.
Причина:
Плохая теплоотдача.
Решение:
Снизьте длину выводов диода Зенера. Увеличьте толщину подводящих дорожек.
Причина:
Медленные выпрямители на выходной обмотке.
Решение:
Используйте выпрямительные диоды класса UltraFast
Причина:
Цепь рассеяния поглощает большую мощность выброса, чем та, на которую была рассчитана.
Решение:
Используйте более мощный диод Зенера Подключите емкость 0,01 uF 200V параллельно к диоду Зенера Перемотайте трансформатор для получения меньшей индукции рассеяния.
6) Микросхема Power Integrations имеет очень высокую температуру.
Причина:
Большие потери при переключении из-за медленного диода в цепи поглощения высоковольтного выброса.
Решение:
Установите диод класса UltraFast
Причина:
Большие потери при переключении из-за медленного диода в выходной выпрямительной цепи.
Решение:
Установите диод класса UltraFast
Причина:
Индуктивность первичной обмотки мала, это вызывает высокие RMS токи.
Решение:
Увеличьте индуктивность первичной обмотки. Увеличьте коэффициент обмоток трансформатора для большего коэффициента заполнения.
Причина:
Плохая теплоотдача.
Решение:
Добавьте или увеличьте размер теплоотвода.
Причина:
Выбрана недостаточно мощная микросхема.
Решение:
Используйте более мощную микросхему.
7) Выходное напряжение источника питания растет при росте входного на малых нагрузках.
Причина:
Минимальный коэффициент заполнения доставляет в нагрузку больше мощности, чем она может потребить.
Решение:
Увеличьте напряжение смещения (до 30 вольт). "Подгрузите" выход резистором.
www.powerint.ru
Геннадий Бандура
Бренд-менеджер Power Integrations
Макро Групп
