Журнал РАДИОЛОЦМАН, февраль 2019
Jim Walker
Electronic Design
Когда надо защитить схему от обратного напряжения со стороны входа питания, обычно используется последовательный диод (Рисунок 1а). Однако если входное напряжение низкое – скажем, это две или три батареи AA, – падение 0.5 В на диоде Шоттки может значительно сократить полезное время службы батарей. Функцию диода, но со значительно более низким падением напряжения, может выполнять MOSFET (Рисунок 1б).
 |
||
| Рисунок 1. | Для защиты от напряжения обратной полярности обычно используется диод (а). По сравнению с диодом схема на MOSFET имеет намного меньшее падение напряжения (б). Если требуется защита в нижнем плече схемы, можно использовать n-канальный MOSFET (в). Добавление резистора и конденсатора обеспечивает функцию «плавного включения» (г). |
|
Использовался сдвоенный p-канальный прибор IRF7342, оба MOSFET которого были включены параллельно, и источник питания 3 В. При токе нагрузки 100 мА падение напряжения было равно 100 мВ. При входном напряжении 4.5 В и токе нагрузки 100 мА потери составили всего 50 мВ. Если требуется защита в нижнем плече схемы, можно использовать сдвоенный n-канальный MOSFET IRF7341, также соединив транзисторы параллельно (Рисунок 1в). При напряжении источника питания 3 В и токе нагрузки 100 мА потери составляют 40 мВ. При входном напряжении 4.5 В и токе нагрузки 100 мА на этой схеме падает всего 25 мВ.
Для того чтобы добавить функцию «плавного включения», потребуется лишь один дополнительный конденсатор и один резистор (Рисунок 1г). Показанные на схеме номиналы компонентов добавляют к задержке включения примерно 100 мс, поскольку переход MOSFET из выключенного состояния в полностью включенное происходит в линейном режиме.
Купить IRF7341 на РадиоЛоцман.Цены
