На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Преобразователь 5 В в -48 В

Linear Technology LTC1624

Журнал РАДИОЛОЦМАН, март 2019

Kurk Mathews

EDN

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

По мере роста спроса на сетевое оборудование растет и потребность в источниках питания –48 В, питающих линии связи. Схема на Рисунке 1, преобразуя 5 В в напряжение –48 В, отдает в нагрузку мощность 24 Вт. Одной из самых больших проблем является выбор входного напряжения для такой схемы. Хотя сильноточные источники 5 В широко доступны, более низкие входные напряжения обычно означают высокие входные токи и низкий КПД. При относительно простой топологии и входном источнике 5 В схема на Рисунке 1 обеспечивает КПД свыше 85% (Рисунок 2). T1 накапливает энергию во время включенного состояния транзистора Q1.

Для повышения КПД более чем до 85% при преобразовании 5 В в -48 В в этой схеме использован целый ряд приемов.
Рисунок 1. Для повышения КПД более чем до 85% при преобразовании 5 В в –48 В
в этой схеме использован целый ряд приемов.

Затем энергия передается на два расположенных друг над другом выхода 24 В, с которых снимается напряжение –48 В. C1 заряжается до постоянного напряжения, равного входному напряжению 24 В, в то же время ограничивая всплеск на индуктивности рассеяния T1 и обеспечивая путь для входного тока в то время, когда транзистор Q1 закрыт. Это создает условия для непрерывного протекания входного тока и, таким образом, снижает пульсации тока в выходном конденсаторе.

КПД схемы на Рисунке 1 превышает 85% при любых условиях и не падает ниже 90% почти во всем диапазоне практически используемых токов.
Рисунок 2. КПД схемы на Рисунке 1 превышает 85% при любых
условиях и не падает ниже 90% почти во всем диа
пазоне практически используемых токов.

Небольшие пульсации входного тока, характерные для этой топологии, требуют измерения коммутируемого тока, а не входного. Используемый для этой цели трансформатор T2 не занимает слишком много места на плате (7 × 8 мм), но позволяет исключить потери 400 мВт на токоизмерительном резисторе. Далее перечислены решения, улучшающие КПД и другие характеристики схемы. Вывод Boost микросхемы LTC1624 обычно питает внутренний выходной драйвер (подключенный к выводу TG) стабилизированным напряжением 5.6 В, но на самом выводе TG напряжение составляет всего 4.2 В при входном напряжении 5 В. Если обойти внутренний регулятор, соединив выводы Boost и VIN, можно увеличить напряжение затвора Q1, обеспечив выигрыш в КПД более 3.2%. R1 и D1 в случае чрезмерного увеличения входного напряжения ограничивают напряжение на выводе Boost ну уровне ниже 7.8 В. Добавление транзисторов Q2 и Q3 позволяет увеличить КПД еще на 5.5% за счет увеличения скорости переключения и увеличения напряжения затвора с 5 В до 5.3 В. Это дополнительное напряжение возникает из-за избыточного тока эмиттера, когда Q2 выключается после окончания заряда емкости затвора Q1. Транзисторы Q4 и Q5 пропорционально уменьшают выходное напряжение –48 В до напряжения 1.2 В, требуемого входу обратной связи (VFB) для стабилизации выходного напряжения. Частота переключения LTC1624 уменьшается с выходным напряжением, снижая, тем самым, входной ток в условиях короткого замыкания выхода.

Материалы по теме

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Supply converts 5V to -48V

20 предложений от 16 поставщиков
ШИМ-контроллер (управление N-канальным ПТ, Vin=3.5-36V, Vout=1.19-30V, tol=1%, DC=95%, F=200kHz, 0 to +70C)
AliExpress
Весь мир
бесплатная доставка, SOP8 LTC1569CS8-7 LTC1624CS8 LTC1627IS8 LTC1645CS8 LTC1685CS8 LTC1569 LTC1624 LTC1627 LTC1645 LTC1685 sop-8
171 ₽
EIS Components
Весь мир
LTC1624CS8
Analog Devices
278 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
LTC1624CS8
Linear Technology
по запросу
LTC1624ISN
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Фрагменты обсуждения:Полный вариант обсуждения »
  • Не указано сопротивление самого нижнего на схеме резистора (между базой Q5 и -48 В Vout).