Схема компенсации разброса напряжения включения GaAs MESFET

Maxim MAX4473

Пороговые напряжения включения арсенид галлиевых (GaAs) MESFET (metal-semiconductor field-effect transistors – металл-полупроводниковый полевой транзистор) имеют значительный разброс, даже в пределах одной партии. Это затрудняет разработку схемы смещения, особенно если устройство создается для крупносерийного производства. Чтобы преодолеть этот недостаток, можно ввести датчик тока, который будет отслеживать ток смещения и обеспечивать обратную связь на вход затвора (Рисунок 1). IC1 объединяет датчик тока и усилитель ошибки. Предназначенная для управления выходной мощностью радиочастотных усилителей, эта микросхема измеряет ток сток-исток IDS на истоке транзистора, сравнивает и интегрирует разность между падениями напряжения на RSENSE и RG1 и подает выходное напряжение обратной связи на затвор MESFET. Обратная связь регулирует IDS таким образом, чтобы два падения напряжения были равны, тем самым, поддерживая требуемый ток истока, независимо от пороговых характеристик затвора MESFET. Выражение для тока сток-исток имеет вид

Микросхема интеллектуального смещения гарантирует компенсацию разброса пороговых напряжений GaAs полевых транзисторов при крупносерийном производстве.
Рисунок 1. Микросхема интеллектуального смещения гарантирует компенсацию разброса пороговых
напряжений GaAs полевых транзисторов при крупносерийном производстве.

Ток, проходящий через RG1, зависит от величины напряжения VPC относительно напряжения отрицательного источника питания VEE, приложенного к входу управления мощностью (вывод 4). Реализовать VPC можно с помощью делителя напряжения, опорного источника или источника регулируемого напряжения. Поскольку напряжение затвора отрицательно относительно истока, подключение питания к микросхеме IC1 необходимо изменить, чтобы обеспечить отрицательное напряжение управления затвором MESFET: Вывод VCC микросхемы нужно подключить к земле, а вывод земли к шине VEE. Эту схему можно легко модифицировать для смещения биполярных транзисторов и MOSFET.

Материалы по теме

  1. Datasheet Maxim MAX4473

EDN

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: IC maintains uniform bias for GaAs MESFETs

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

13 предложений от 13 поставщиков
Low-Cost, Low-Voltage, PA Power Control Amplifier for GSM Applications
Элитан
Россия
MAX4473ETA+
Maxim
132 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MAX4473EUA
Maxim
133 ₽
ТаймЧипс
Россия
MAX4473EUA-T
Maxim
по запросу
LifeElectronics
Россия
MAX4473EUAT
Maxim
по запросу
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя