Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Выходные потенциалы схемы сдвига уровня могут быть отрицательными

ON Semiconductor MMBT2369L MMBT3640

, , , ,

Для питания цифровых систем требуется много разных напряжений. Память питается напряжением 1.8 В, для работы I2C и ПЛИС требуется напряжение 3.3 В, микроконтроллеры работают от 5 В, а ПЗС-датчикам изображения необходимы напряжения от –9 до 8 В. Параметры импульсов синхронизации каждого устройства должны соответствовать его рабочему напряжению.

КОМПЭЛ представляет техническое руководство по выбору компонентов Hongfa для зарядных станций

Схему сдвига, показанную на Рисунке 1, можно использовать для установки верхнего и нижнего логического уровня входных импульсных сигналов, включая отрицательные напряжения. Это свойство удобно для устройств, которым требуется отрицательное напряжение, таких как приборы с зарядовой связью (ПЗС). Хотя выходные импульсы схемы инвертированы относительно входных импульсов, на функцию устройства эта инверсия не влияет.

Эта простая и быстродействующая схема может сместить уровни входных импульсов как к положительным, так и к отрицательным значениям.
Рисунок 1. Эта простая и быстродействующая схема может сместить уровни входных
импульсов как к положительным, так и к отрицательным значениям.

Схема сдвига уровня содержит быстродействующие переключающие транзисторы Q1 и Q2. Для получения необходимых амплитудных параметров выходных импульсов пользователь выбирает верхнее и нижнее значения смещенных уровней, представляющие собой постоянные напряжения, поданные на эмиттеры транзисторов, Элементы C1, R1, D1,C2, R2 и D2 поддерживают напряжения на базах Q1 и Q2 близкими к напряжениям их эмиттеров.

Поскольку частота синхронизации памяти и ПЗС обычно высока, емкости конденсаторов C1 и C2 можно выбрать достаточно небольшими, чтобы исключить прохождение низкочастотных помех. Для измерений в схеме на Рисунке 1 на нее подавался 20-мегагерцовый сигнал (Таблица 1), поэтому использовались конденсаторы C1 и C2 емкостью 100 пФ. При низком уровне входного импульса включается транзистор Q1, а Q2 выключается, и на выходе устанавливается напряжение, близкое к верхнему потенциалу смещения. Когда уровень входного импульса высокий, транзистор Q1 выключается, а Q2 включается, и выходное напряжение сдвигается к нижнему потенциалу смещения, даже если этот потенциал отрицательный относительно земли.

Таблица 1. Входные и выходные импульсы
Верхний/нижний
уровни
смещения
(В)
Входные
тактовые
импульсы
(В)
Выходные
тактовые
импульсы
(В)
3.3/0 0/5 3.3/0
20/10 0/5 20/10
–5/–10 0/5 –5/–10
2/–4 0/5 2/–4

Из-за высокой скорости переключения схемы выводы компонентов должны быть насколько возможно короткими, чтобы их индуктивность была минимальной. Это предостережение особенно актуально для выводов конденсаторов C3 – C6, идущих к эмиттерам соответствующих транзисторов и к слою земли или земляной шине.

Материалы по теме

  1. Datasheet Avago HSMS-280x
  2. Datasheet ON Semiconductor MMBT2369L
  3. Datasheet ON Semiconductor MMBT3640

EDN

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Inverting level-shift circuit has negative potential

Биполярные транзисторы - BJT NPN HIGH SPD SW
ТаймЧипс
Россия
MMBT2369L
Fairchild
по запросу
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя