KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Проходной транзистор снижает падение напряжения

Analog Devices MAX8863

Падение напряжения (VIN – VOUT) на линейных стабилизаторах измеряют при наименьшем входном напряжении, при котором микросхема еще в состоянии обеспечивать стабилизацию. Низкое падение напряжения означает более длительный срок службы батареи, поскольку цепь нагрузки продолжает работать, пока батарея разряжается до более низкого напряжения на контактах. Внешний транзистор помогает сформировать схему линейного регулятора, падение напряжения на котором при токе нагрузки 100 мА составляет всего 10 мВ (Рисунок 1). (На самой микросхеме линейного регулятора, согласно документации, падает 100 мВ при токе 100 мА). Внешний транзистор также увеличивает максимальный ток нагрузки до 1 А.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Нестандартное подключение транзистора к LDO регулятору позволяет снизить падение напряжения со 100 мВ до 10 мВ.
Рисунок 1. Нестандартное подключение транзистора к LDO регулятору
позволяет снизить падение напряжения со 100 мВ до 10 мВ.

Нестандартные подключения позволяют микросхеме управлять транзистором Q1. Подключение вывода 3 микросхемы к базе транзистора позволяет току базы протекать через внутренний проходной MOSFET и из вывода 4 через резистор R2 выходить в землю. Тогда MOSFET регулирует выходное напряжение VOUT, управляя током базы. Поскольку конденсатор C2 устанавливает доминирующий полюс, определяющий стабильность контура регулирования, его следует выбрать керамическим или другого типа с низким значением ESR. C2 улучшает запас по фазе, формируя комбинацию полюс-ноль, которая смещает частоту пересечения фаз. Когда напряжение батареи падает достаточно низко, чтобы стабилизация VOUT стала невозможной, Q1 насыщается, а R2 ограничивает базовый ток примерно до 10 мА. В этих условиях падение напряжения задает напряжение коллектор-эмиттер насыщенного транзистора Q1, равное 10 мВ при токе базы 1 мА и токе коллектора 100 мА.

Падение напряжения в схеме на Рисунке 1 изменяется от 10 мВ при токе нагрузки 100 мА до 90 мВ при токе 1 А.
Рисунок 2. Падение напряжения в схеме на Рисунке 1 изменяется от
10 мВ при токе нагрузки 100 мА до 90 мВ при токе 1 А.

Измеренное падение напряжения изменяется в зависимости от тока нагрузки (Рисунок 2). При выходном напряжении 3.3 В схема может отдавать в нагрузку ток до 1 А. Выходное напряжение можно регулировать от 5.5 В до 1.25 В, используя формулу

с соответствующим пересчетом сопротивления R2, по формуле

Небольшие размеры компонентов позволяют разместить всю схему на печатной плате площадью менее 1.6 см2. (Микросхема выпускается в корпусе SOT-23).

Материалы по теме

  1. Datasheet Analog Devices MAX8863
  2. Datasheet Diodes FMMT717

EDN

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Pass transistor lowers dropout voltage

39 предложений от 25 поставщиков
Регулируемый стабилизатор с низким падением напряжения положительной полярности, 3.15 В
AiPCBA
Весь мир
MAX8863SEUK-T
ON Semiconductor
18 ₽
ChipWorker
Весь мир
MAX8863QEUK-T
ON Semiconductor
18 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
MAX8863TEUK
Maxim
по запросу
MAX8863REUK+T
Maxim
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя