Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Биполярные транзисторы » ON Semiconductor
Найдено: 2,590   Вывод: 1 - 20 (322 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1.MMBT2907ALT1G
TRANSISTOR, PNP, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:Dual P, Voltage, Vceo:60V, Current, Ic Continuous a Max:500mA, Voltage, Vce Sat Max:0.4V,&hellip,
  
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.57Элитан
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.63
0.67
0.74
0.82
0.95
Элрус
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.66
0.78
2.34
Элрус
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.69
0.74
ICdarom
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.72
0.79
0.92
Терраэлектроника
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.78
0.86
2.03
Элрус
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
2.MMBTA42LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:300V, Current, Ic Continuous a Max:20mA, Voltage, Vce Sat Max:0.5V, Power Dissipation:225mW, Hfe, Min:40, ft, Typ:50MHz, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD
  
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
0.94Элитан
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
0.97
1.03
1.12
1.26
1.45
Элрус
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.06
1.12
ICdarom
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.40
4.23
Элрус
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.40
Терраэлектроника
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.27
1.38
2.03
Элрус
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
3.MMBT2222ALT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:40V, Current, Ic Continuous a Max:500mA, Voltage, Vce Sat Max:0.3V,&hellip,
  
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.57Элитан
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.60
0.64
0.70
0.78
0.90
Элрус
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.66
0.70
ICdarom
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.69
0.74
0.87
Терраэлектроника
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.79
0.93
2.79
Элрус
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
2.00
7.54
13.22
Элрус
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
4.MJD112G
TRANSISTOR, NPN, D-PAK, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:100V, Current, Ic Continuous a Max:4A, Voltage, Vce Sat Max:2V,&hellip,
  
 MJD112G
ON Semiconductor
12.10Элитан
 MJD112G
ON Semiconductor
13.02
13.83
15.07
16.89
19.46
Элрус
 MJD112G
ON Semiconductor
14.27
15.30
ICdarom
 MJD112G
ON Semiconductor
14.80
16.10
18.80
Терраэлектроника
 MJD112G
ON Semiconductor
17.28
18.97
26.69
Элрус
 MJD112G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MJD112G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD112G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD112G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MJD112G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJD112G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJD112G
ON Semiconductor
запросКремний
5.MJ11016G
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3, Transistor Type:Bipolar Darlington, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:120V, Current, Ic Continuous a Max:30A, Voltage, Vce Sat Max:3V, Power Dissipation:200W, Hfe, Min:1000, Case Style:TO-3, Termination Type:Through ...
  
 MJ11016G
ON Semiconductor
169.00Элитан
 MJ11016G
ON Semiconductor
178.54
189.62
206.60
231.57
266.78
Элрус
 MJ11016G
ON Semiconductor
195.90
208.25
ICdarom
 MJ11016G
ON Semiconductor
203.00
221.00
258.00
Терраэлектроника
 MJ11016G
ON Semiconductor
207.50
218.92
264.10
Элрус
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросЭФО
6.MJ11032G
TRANSISTOR, Transistor Type:NPN, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:120V, Current, Ic Continuous a Max:50A, Voltage, Vce Sat Max:3.5V, Power Dissipation:300mW,&hellip,
  
 MJ11032G
ON Semiconductor
411.00Элитан
 MJ11032G
ON Semiconductor
426.96
453.45
494.05
553.76
637.96
Элрус
 MJ11032G
ON Semiconductor
466.30
496.45
ICdarom
 MJ11032G
ON Semiconductor
485.00
528.00
616.00
Терраэлектроника
 MJ11032G
ON Semiconductor
535.17
553.09
632.46
Элрус
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросТаймЧипс
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросКремний
7.ON Semiconductor BC817-40LT1GBC817-40LT1G
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
0.72Элитан
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
0.77
0.81
0.88
0.99
1.14
Элрус
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
0.81
0.96
2.87
Элрус
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
0.84
0.90
ICdarom
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
0.87
0.95
1.10
Терраэлектроника
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
0.97
1.06
2.03
Элрус
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
7.00Ким
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC817-40LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
8.ON Semiconductor BC848BLT1GBC848BLT1G
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный
  
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.51Элитан
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.54
0.58
0.63
0.70
0.81
Элрус
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.59
0.63
ICdarom
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.61
0.71
2.15
Элрус
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.62
0.67
0.79
Терраэлектроника
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
5.00Ким
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросМосЧип
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
9.MJ11015G
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3, Transistor Type:Bipolar Darlington, Transistor Polarity:PNP, Voltage, Vceo:120V, Current, Ic Continuous a Max:30A, Voltage, Vce Sat Max:-3V, Power Dissipation:200W, Hfe, Min:1000, Case Style:TO-3, Termination Type:Through ...
  
 MJ11015G
ON Semiconductor
163.00Элитан
 MJ11015G
ON Semiconductor
172.29
182.98
199.37
223.46
257.44
Элрус
 MJ11015G
ON Semiconductor
188.65
201.03
ICdarom
 MJ11015G
ON Semiconductor
195.76
206.53
249.15
Элрус
 MJ11015G
ON Semiconductor
196.00
213.00
249.00
Терраэлектроника
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросЭФО
10.ON Semiconductor MMBT3906LT1GMMBT3906LT1G
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:Dual P; Voltage, Vceo:40V; Current, Ic Continuous a Max:50mA; Voltage, Vce Sat Max:0.25V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:30; ft, Typ:250MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:
  
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.47Элитан
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.48
0.51
0.55
0.62
0.72
Элрус
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.52
0.56
ICdarom
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.55
0.60
0.70
Терраэлектроника
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.64
0.75
2.27
Элрус
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
4.00Ким
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
11.ON Semiconductor MMBT4401LT1GMMBT4401LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:40V, Current, Ic Continuous a Max:500mA, Voltage, Vce Sat Max:0.4V, Power Dissipation:225mW, Hfe, Min:100, ft, Typ:250MHz, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD
  
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.59Элитан
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.65
0.70
0.76
0.85
0.98
Элрус
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.69
0.81
2.45
Элрус
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.72
0.76
ICdarom
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.75
0.81
0.95
Терраэлектроника
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.80
0.87
2.03
Элрус
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
6.00Ким
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
12.ON Semiconductor BC817-16LT1GBC817-16LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:45V, Current, Ic Continuous a Max:500mA, Voltage, Vce Sat Max:0.7V, Power Dissipation:300mW, Hfe, Min:100, ft, Typ:100MHz, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD
  
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.66Элитан
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.72
0.76
0.82
0.92
1.07
Элрус
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.81
0.88
1.10
Терраэлектроника
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.85
1.07
2.44
Элрус
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
6.00Ким
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросLifeElectronics
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
13.ON Semiconductor BUL45D2GBUL45D2G
RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):22V; Power Dissipation, Pd:75W; DC Current Gain Min (hfe):22; Package/Case:3-TO-220
  
 BUL45D2G
ON Semiconductor
33.60Элитан
 BUL45D2G
ON Semiconductor
35.73
37.95
41.35
46.35
53.39
Элрус
 BUL45D2G
ON Semiconductor
39.33
41.39
ICdarom
 BUL45D2G
ON Semiconductor
40.60
44.20
51.50
Терраэлектроника
 BUL45D2G
ON Semiconductor
44.81
48.24
61.10
Элрус
 BUL45D2G
ON Semiconductor
66.00Ким
 BUL45D2G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 BUL45D2G
ON Semiconductor
запросКремний
 BUL45D2G
ON Semiconductor
запросКремний
 BUL45D2G
ON Semiconductor
запросКремний
 BUL45D2G
ON Semiconductor
запросЭФО
14.MJD44H11G
Тип корпуса: D-PAK Производитель: ON Semiconductor Corporation .
  
 MJD44H11G
ON Semiconductor
11.60Элитан
 MJD44H11G
ON Semiconductor
12.37
13.13
14.31
16.04
18.48
Элрус
 MJD44H11G
ON Semiconductor
13.62
14.46
ICdarom
 MJD44H11G
ON Semiconductor
13.74
15.08
21.23
Элрус
 MJD44H11G
ON Semiconductor
14.10
15.30
17.90
Терраэлектроника
 MJD44H11G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD44H11G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD44H11G
ON Semiconductor
запросLifeElectronics
 MJD44H11G
ON Semiconductor
запросЭФО
15.MBT3904DW1T1G
Тип корпуса: SC-88 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
1.13Элитан
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
1.22
1.30
1.41
1.59
1.82
Элрус
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
1.33
1.42
ICdarom
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
1.33
1.60
3.01
Элрус
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
1.40
1.60
1.80
Терраэлектроника
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
16.MJE15033G
Тип корпуса: TO-220 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 MJE15033G
ON Semiconductor
38.90Элитан
 MJE15033G
ON Semiconductor
41.50
44.08
48.02
53.83
62.01
Элрус
 MJE15033G
ON Semiconductor
45.27
48.73
61.73
Элрус
 MJE15033G
ON Semiconductor
45.55
48.42
ICdarom
 MJE15033G
ON Semiconductor
47.10
51.50
60.00
Терраэлектроника
 MJE15033G
ON Semiconductor
запросТаймЧипс
 MJE15033G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJE15033G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJE15033G
ON Semiconductor
запросЭФО
17.ON Semiconductor MMBT4403LT1GMMBT4403LT1G
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
0.55Элитан
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
0.56
0.60
0.66
0.74
0.84
Элрус
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
0.62
0.66
ICdarom
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
0.65
0.70
0.82
Терраэлектроника
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
0.73
0.85
2.55
Элрус
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
5.00Ким
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
18.ON Semiconductor MMBT5401LT1GMMBT5401LT1G
TRANSISTOR, PNP, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:PNP, Voltage, Vceo:150V, Current, Ic Continuous a Max:50mA, Voltage, Vce Sat Max:0.2V, Power Dissipation:225mW, Hfe, Min:60, ft, Typ:300MHz, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD
  
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
0.91Элитан
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
0.98
1.04
1.13
1.27
1.46
Элрус
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.07
1.15
ICdarom
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.17
1.38
4.15
Элрус
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
Терраэлектроника
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.36
1.42
2.03
Элрус
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
Транзисторы, транзисторные сборки и модули- Биполярные транзисторные сборки и модули
запросКонтест
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
19.MMBT5551LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:160V, Current, Ic Continuous a Max:50mA, Voltage, Vce Sat Max:0.15V, Power Dissipation:225mW, Hfe, Min:80, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD
  
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
0.84Элитан
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
0.89
0.94
1.03
1.15
1.33
Элрус
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
0.98
1.03
ICdarom
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
1.07Интерия
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
1.10
1.30
3.91
Элрус
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
1.10
1.10
1.30
Терраэлектроника
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
запросМосЧип
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
20.ON Semiconductor BC846ALT1GBC846ALT1G
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
0.60Элитан
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
0.60
0.64
0.70
0.78
0.90
Элрус
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
0.66
0.70
ICdarom
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
0.69
0.74
0.87
Терраэлектроника
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
0.82
2.21
2.91
Элрус
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
5.00Ким
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC846ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 24.01.2018:
USD56.4115
EUR69.0702
Срезы ↓
Wi-Fi модуль ESP-12F на чипе ESP8266
Wi-Fi модуль ESP-12F
на чипе ESP8266
Без дополнительного управления и может прошиваться как и любой МК. Встроенный датчик температуры, разведенная на плату PCB антенна и светодиод.
Цена: от 100 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru