Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Биполярные транзисторы » ON Semiconductor
Найдено: 3,633   Вывод: 1 - 20 (360 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1.ON Semiconductor MMBT2907ALT1GMMBT2907ALT1G
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:Dual P; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:0.4V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:50; ft, Typ:200MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:
  
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.63
0.69
0.80
Терраэлектроника
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.63
0.69
0.80
ДКО Электронщик
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.63
0.69
0.80
ДКО Электронщик
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.64
0.69
ICdarom
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.66Элрус
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.69Элитан
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.77Интерия
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.79Контест
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
1.10Контест
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
1.82Элрус
 MMBT2907ALT1G
ONSEMICONDUCTOR -
2.49Контест
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
5.00Ким
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
2.ON Semiconductor BC847BLT1GBC847BLT1G
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
0.53Элитан
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
0.61
0.66
ICdarom
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
0.64
0.70
0.81
Терраэлектроника
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
0.64
0.70
0.81
ДКО Электронщик
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
0.64
0.70
0.81
ДКО Электронщик
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
0.66Элрус
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
0.77Интерия
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
0.79Контест
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
1.48Контест
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
1.78Элрус
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
6.00Ким
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BLT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
3.ON Semiconductor MMBTA42LT1GMMBTA42LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:300V; Current, Ic Continuous a Max:20mA; Voltage, Vce Sat Max:0.5V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:40; ft, Typ:50MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD
  
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
0.93Элитан
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.11
1.19
ICdarom
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.18Элрус
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
ДКО Электронщик
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
ДКО Электронщик
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
Терраэлектроника
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.38Контест
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
1.38Интерия
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
2.24Контест
 MMBTA42LT1G
ONSEMICONDUCTOR -
2.49Контест
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
3.06Элрус
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
7.00Ким
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBTA42LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
4.ON Semiconductor BC848BLT1GBC848BLT1G
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный
  
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.55
0.58
ICdarom
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.56
0.60
0.70
ДКО Электронщик
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.56
0.60
0.70
Терраэлектроника
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.56
0.60
0.70
ДКО Электронщик
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.58Элрус
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.60Элитан
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.68Контест
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
0.68Интерия
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
1.25Контест
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
1.66Элрус
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
5.00Ким
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросМосЧип
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 BC848BLT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
5.ON Semiconductor BC857BLT1GBC857BLT1G
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
0.61Элитан
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
0.63
0.69
0.80
ДКО Электронщик
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
0.63
0.69
0.80
ДКО Электронщик
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
0.63
0.69
0.80
Терраэлектроника
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
0.64
0.70
ICdarom
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
0.66Элрус
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
0.77Интерия
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
0.79Контест
 BC857BLT1G
Phoenix Contact
1.06Контест
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
1.25Контест
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
5.00Ким
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
запросТаймЧипс
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
запросЭлрус
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC857BLT1G
ON Semiconductor
запросКремний
6.ON Semiconductor MJD45H11GMJD45H11G
Тип корпуса: DPAK-2 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный
  
 MJD45H11G
ON Semiconductor
12.70Элитан
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.39
15.57
ICdarom
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.90
16.30
19.00
ДКО Электронщик
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.90
16.30
19.00
ДКО Электронщик
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.90
16.30
19.00
ДКО Электронщик
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.90
16.30
19.00
Терраэлектроника
 MJD45H11G
ON Semiconductor
15.73Элрус
 MJD45H11G
ON Semiconductor
18.35Интерия
 MJD45H11G
ON Semiconductor
18.46Контест
 MJD45H11G
ON Semiconductor
18.92Контест
 MJD45H11G
ON Semiconductor
35.00Ким
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросЭлрус
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросЭФО
7.ON Semiconductor MMBT2222ALT1GMMBT2222ALT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:40V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:0.3V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:100; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SM
  
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.60Элитан
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.72
0.79
0.91
Терраэлектроника
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.72
0.76
ICdarom
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.72
0.79
0.91
ДКО Электронщик
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.72
0.79
0.91
ДКО Электронщик
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.75Элрус
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.88Интерия
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
0.90Контест
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
1.36Контест
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
2.16Элрус
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
6.00Ким
 MMBT2222ALT1G
ONSEMICONDUCTOR -
16.20Контест
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
8.ON Semiconductor MJ11016GMJ11016G
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3, Transistor Type:Bipolar Darlington, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:120V, Current, Ic Continuous a Max:30A, Voltage, Vce Sat Max:3V, Power Dissipation:200W, Hfe, Min:1000, Case Style:TO-3, Termination Type:Through ...
  
 MJ11016G
ON Semiconductor
154.00Элитан
 MJ11016G
ON Semiconductor
168.77
181.99
ICdarom
 MJ11016G
ON Semiconductor
175.00
191.00
222.00
ДКО Электронщик
 MJ11016G
ON Semiconductor
175.00
191.00
222.00
Терраэлектроника
 MJ11016G
ON Semiconductor
175.00
191.00
222.00
ДКО Электронщик
 MJ11016G
ON Semiconductor
175.00
191.00
222.00
ДКО Электронщик
 MJ11016G
ON Semiconductor
175.00
191.00
222.00
ДКО Электронщик
 MJ11016G
ON Semiconductor
180.00Ким
 MJ11016G
ON Semiconductor
184.34Элрус
 MJ11016G
ON Semiconductor
193.63Элрус
 MJ11016G
ON Semiconductor
215.07Интерия
 MJ11016G
ON Semiconductor
269.68Контест
 MJ11016G
ON Semiconductor
301.01Контест
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросЭФО
9.ON Semiconductor MMBT5401LT1GMMBT5401LT1G
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:150V; Current, Ic Continuous a Max:50mA; Voltage, Vce Sat Max:0.2V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:60; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD
  
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
0.93Элитан
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.14
1.22
ICdarom
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
Терраэлектроника
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
ДКО Электронщик
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
ДКО Электронщик
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.24Элрус
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.45Интерия
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.45Контест
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.92Контест
 MMBT5401LT1G
ONSEMICONDUCTOR -
2.49Контест
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
3.21Элрус
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
8.00Ким
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
10.ON Semiconductor MJH6287GMJH6287G
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 MJH6287G
ON Semiconductor
143.00Элитан
 MJH6287G
ON Semiconductor
159.17
170.63
ICdarom
 MJH6287G
ON Semiconductor
165.00
180.00
210.00
ДКО Электронщик
 MJH6287G
ON Semiconductor
165.00
180.00
210.00
ДКО Электронщик
 MJH6287G
ON Semiconductor
165.00
180.00
210.00
ДКО Электронщик
 MJH6287G
ON Semiconductor
165.00
180.00
210.00
Терраэлектроника
 MJH6287G
ON Semiconductor
165.00
180.00
210.00
ДКО Электронщик
 MJH6287G
ON Semiconductor
174.12Элрус
 MJH6287G
ON Semiconductor
186.15Элрус
 MJH6287G
ON Semiconductor
203.15Интерия
 MJH6287G
ON Semiconductor
204.34Контест
 MJH6287G
ON Semiconductor
284.00Ким
 MJH6287G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJH6287G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJH6287G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MJH6287G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJH6287G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJH6287G
ON Semiconductor
запросКремний
11.ON Semiconductor D44H11GD44H11G
Тип корпуса: TO-220 Производитель: ON Semiconductor Corporation транзистор биполярный.
  
 D44H11G
ON Semiconductor
22.90Элитан
 D44H11G
ON Semiconductor
23.94
26.00
ICdarom
 D44H11G
ON Semiconductor
24.20
26.30
30.70
ДКО Электронщик
 D44H11G
ON Semiconductor
24.20
26.30
30.70
ДКО Электронщик
 D44H11G
ON Semiconductor
24.20
26.30
30.70
ДКО Электронщик
 D44H11G
ON Semiconductor
24.20
26.30
30.70
Терраэлектроника
 D44H11G
ON Semiconductor
25.46Элрус
 D44H11G
ON Semiconductor
29.70Интерия
 D44H11G
ON Semiconductor
29.87Контест
 D44H11G
ON Semiconductor
53.00Ким
 D44H11G
ON Semiconductor
запросКремний
 D44H11G
ON Semiconductor
запросЭлрус
 D44H11G
ON Semiconductor
запросКремний
 D44H11G
ON Semiconductor
запросЭФО
 D44H11G
ON Semiconductor
запросКонтест
 D44H11G
ON Semiconductor
запросКремний
 D44H11G
ON Semiconductor
запросКремний
 D44H11G
ON Semiconductor
запросЭФО
12.ON Semiconductor D45VH10GD45VH10G
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:Dual P; Voltage, Vceo:80V; Current, Ic Continuous a Max:15A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:83W; Hfe, Min:20; ft, Typ:50MHz; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Throu
  
 D45VH10G
ON Semiconductor
32.20
35.10
40.90
Терраэлектроника
 D45VH10G
ON Semiconductor
32.20
35.10
40.90
ДКО Электронщик
 D45VH10G
ON Semiconductor
32.20
35.10
40.90
ДКО Электронщик
 D45VH10G
ON Semiconductor
32.20
35.10
40.90
ДКО Электронщик
 D45VH10G
ON Semiconductor
32.67
35.05
ICdarom
 D45VH10G
ON Semiconductor
33.94Элрус
 D45VH10G
ON Semiconductor
39.60Интерия
 D45VH10G
ON Semiconductor
39.83Контест
 D45VH10G
ON Semiconductor
40.24Элрус
 D45VH10G
ON Semiconductor
63.00Ким
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросКремний
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросКремний
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросЭФО
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросЭлитан
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросКремний
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросЭФО
13.ON Semiconductor BC807-25LT1GBC807-25LT1G
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный
  
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
0.71
0.77
ICdarom
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
0.72Элитан
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
0.73
0.79
0.93
ДКО Электронщик
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
0.73
0.79
0.93
Терраэлектроника
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
0.77Элрус
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
0.89Интерия
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
0.97
1.01
ICdarom
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
2.16Контест
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
2.16Элрус
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
3.00Контест
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
6.00Ким
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 BC807-25LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
14.ON Semiconductor MJ15004GMJ15004G
TRANSISTOR, PNP, TO-3; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:140V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:-1V; Power Dissipation:250W; Hfe, Min:25; ft, Typ:2MHz; Case Style:TO-3; Termination Type:Through Hole
  
 MJ15004G
ON Semiconductor
124.49Элрус
 MJ15004G
ON Semiconductor
132.00Элитан
 MJ15004G
ON Semiconductor
137.00Терраэлектроника
 MJ15004G
ON Semiconductor
137.00
137.00
137.00
ДКО Электронщик
 MJ15004G
ON Semiconductor
137.00
137.00
137.00
ДКО Электронщик
 MJ15004G
ON Semiconductor
137.00
137.00
137.00
ДКО Электронщик
 MJ15004G
ON Semiconductor
137.00
137.00
137.00
ДКО Электронщик
 MJ15004G
ON Semiconductor
145.24Интерия
 MJ15004G
ON Semiconductor
160.93
173.92
ICdarom
 MJ15004G
ON Semiconductor
171.78Элрус
 MJ15004G
ON Semiconductor
185.38Контест
 MJ15004G
ON Semiconductor
236.00Ким
 MJ15004G
ON Semiconductor
365.78Контест
 MJ15004G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ15004G
ON Semiconductor
запросLifeElectronics
 MJ15004G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ15004G
ON Semiconductor
запросКремний
15.ON Semiconductor MJ11015GMJ11015G
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3, Transistor Type:Bipolar Darlington, Transistor Polarity:PNP, Voltage, Vceo:120V, Current, Ic Continuous a Max:30A, Voltage, Vce Sat Max:-3V, Power Dissipation:200W, Hfe, Min:1000, Case Style:TO-3, Termination Type:Through ...
  
 MJ11015G
ON Semiconductor
166.00Элитан
 MJ11015G
ON Semiconductor
192.73Элрус
 MJ11015G
ON Semiconductor
194.13
209.41
ICdarom
 MJ11015G
ON Semiconductor
196.00
213.00
248.00
ДКО Электронщик
 MJ11015G
ON Semiconductor
196.00
213.00
248.00
ДКО Электронщик
 MJ11015G
ON Semiconductor
196.00
213.00
248.00
ДКО Электронщик
 MJ11015G
ON Semiconductor
196.00
213.00
248.00
Терраэлектроника
 MJ11015G
ON Semiconductor
196.00
213.00
248.00
ДКО Электронщик
 MJ11015G
ON Semiconductor
205.82Элрус
 MJ11015G
ON Semiconductor
240.14Интерия
 MJ11015G
ON Semiconductor
241.52Контест
 MJ11015G
ON Semiconductor
287.44Контест
 MJ11015G
ON Semiconductor
336.00Ким
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросЭФО
16.ON Semiconductor MMBT3906LT1GMMBT3906LT1G
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:Dual P; Voltage, Vceo:40V; Current, Ic Continuous a Max:50mA; Voltage, Vce Sat Max:0.25V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:30; ft, Typ:250MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:
  
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.58
0.63
ICdarom
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.60
0.66
0.77
Терраэлектроника
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.64Элрус
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.74Интерия
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
0.74Контест
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
1.10Контест
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
1.75Элрус
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
5.00Ким
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
17.ON Semiconductor MJD112GMJD112G
TRANSISTOR NPN D-PAK Transistor Type:Bipolar Transistor Polarity:NPN Voltage Vceo:100V Current Ic Continuous a Max:4A Voltage Vce Sat Max:2V Power Dissipation:1.75W Hfe Min:200 ft Typ:25MHz Case Style:D-PAK Termination Type
  
 MJD112G
ON Semiconductor
13.30Элитан
 MJD112G
ON Semiconductor
15.22Элрус
 MJD112G
ON Semiconductor
16.06
17.26
ICdarom
 MJD112G
ON Semiconductor
16.10
17.50
20.50
ДКО Электронщик
 MJD112G
ON Semiconductor
16.10
17.50
20.50
ДКО Электронщик
 MJD112G
ON Semiconductor
16.10
17.50
20.50
ДКО Электронщик
 MJD112G
ON Semiconductor
16.10
17.50
20.50
Терраэлектроника
 MJD112G
ON Semiconductor
16.95Элрус
 MJD112G
ON Semiconductor
19.78Интерия
 MJD112G
ON Semiconductor
19.91Контест
 MJD112G
ON Semiconductor
37.00Ким
 MJD112G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD112G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MJD112G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJD112G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD112G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJD112G
ON Semiconductor
запросЭФО
18.ON Semiconductor 2N6488G2N6488G
Тип корпуса: TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Corporation Транзистор биполярный стандартный.
  
 2N6488G
ON Semiconductor
25.90Элитан
 2N6488G
ON Semiconductor
30.11
32.34
ICdarom
 2N6488G
ON Semiconductor
30.30
33.00
38.50
Терраэлектроника
 2N6488G
ON Semiconductor
30.30
33.00
38.50
ДКО Электронщик
 2N6488G
ON Semiconductor
30.30
33.00
38.50
ДКО Электронщик
 2N6488G
ON Semiconductor
31.95Элрус
 2N6488G
ON Semiconductor
36.90Элрус
 2N6488G
ON Semiconductor
37.28Интерия
 2N6488G
ON Semiconductor
37.49Контест
 2N6488G
ON Semiconductor
49.34Контест
 2N6488G
ON Semiconductor
51.00Ким
 2N6488G
ON Semiconductor
запросКремний
 2N6488G
ON Semiconductor
запросКремний
 2N6488G
ON Semiconductor
запросЭлрус
 2N6488G
ON Semiconductor
запросКремний
 2N6488G
ON Semiconductor
запросЭФО
 2N6488G
ON Semiconductor
запросЭФО
19.ON Semiconductor MMBT4401LT1GMMBT4401LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:40V, Current, Ic Continuous a Max:500mA, Voltage, Vce Sat Max:0.4V, Power Dissipation:225mW, Hfe, Min:100, ft, Typ:250MHz, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD
  
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.66
0.71
ICdarom
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.69
0.74
0.87
Терраэлектроника
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.69
0.74
0.87
ДКО Электронщик
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.72Элрус
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.84Контест
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
0.84Интерия
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
1.10Контест
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
1.90Элрус
 MMBT4401LT1G
ONSEMICONDUCTOR -
2.49Контест
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
6.00Ким
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросЭлитан
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
20.ON Semiconductor MJ11032GMJ11032G
TRANSISTOR; Transistor Type:NPN; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:50A; Voltage, Vce Sat Max:3.5V; Power Dissipation:300mW; Hfe, Min:400; Case Style:TO-204; Termination Type:Through Hole; Temperature, Operating
  
 MJ11032G
ON Semiconductor
399.00Элитан
 MJ11032G
ON Semiconductor
426.23Элрус
 MJ11032G
ON Semiconductor
489.00
533.00
622.00
Терраэлектроника
 MJ11032G
ON Semiconductor
593.63Контест
 MJ11032G
ON Semiconductor
616.68Интерия
 MJ11032G
ON Semiconductor
664.32Контест
 MJ11032G
ON Semiconductor
801.00Ким
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросЭлрус
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросТаймЧипс
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросКремний
 MJ11032G
ON Semiconductor
запросКремний
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 23.09.2017:
USD57.6527
EUR69.0737
Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DIY настольный 3D принтер
Цена: 163 $ (9500 руб.)
Промо-акция, последняя скидка
Очки с подсветкой и сменными окулярами
Цена: от 8 $ (477 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс