ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BUK7Y10-30B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 67 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK7Y10-30B

Наименование модели: BUK7Y10-30B

9 предложений от 9 поставщиков
МОП-транзистор N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK7Y10-30B.115
Nexperia
35 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK7Y10-30B,115
NXP
62 ₽
ЧипСити
Россия
BUK7Y10-30B,115
NXP
82 ₽
Acme Chip
Весь мир
BUK7Y10-30B
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 67 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y10-30B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

03 -- 9 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 67 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0078 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 85 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK7Y1030B, BUK7Y10 30B

На английском языке: Datasheet BUK7Y10-30B - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 67 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России