Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BUK9Y22-30B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 37.7 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK9Y22-30B

Наименование модели: BUK9Y22-30B

18 предложений от 12 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 30V 37.7A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9Y22-30B.115
Nexperia
24 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK9Y22-30B,115
NXP
48 ₽
ЧипСити
Россия
BUK9Y22-30B,115
NXP
53 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BUK9Y22-30B115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 37.7 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y22-30B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 37.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0135 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 59.4 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y2230B, BUK9Y22 30B

На английском языке: Datasheet BUK9Y22-30B - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 37.7 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России