Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet CSD75205W1015 - Texas Instruments Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 1.2 А, 6DSBGA

Texas Instruments CSD75205W1015

Наименование модели: CSD75205W1015

Производитель: Texas Instruments

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 1.2 А, 6DSBGA

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
CSD75205W1015
www.ti.com SLPS222A ­ OCTOBER 2009 ­ REVISED OCTOBER 2010
P-Channel NexFETTM Power MOSFET
1
FEATURES

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -1.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.095 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -650 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 750 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: DSBGA
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id, P Channel: -1.2 А
  • Drain Source Voltage Vds, P Channel: -20 В
  • Module Configuration: Dual P Channel
  • On Resistance Rds(on), P Channel: 0.145 Ом

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet CSD75205W1015 - Texas Instruments MOSFET, PP CH, 20 V, 1.2 A, 6DSBGA

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанTexas Instruments38,30 руб.
    Кремнийпо запросу
    ДКО ЭлектронщикTexas Instrumentsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс