Datasheet Texas Instruments CSD86311W1723 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD86311W1723 |
| Модель | CSD86311W1723 |
Двойной N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 12-DSBGA от -55 до 150
Datasheets
Dual N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 869 Кб, Файл опубликован: 4 май 2010
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD86311W1723 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 240 ₽18 предложений от 12 поставщиков TEXAS INSTRUMENTS CSD86311W1723 Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.5 A, 25 V, 0.029 ohm, 4.5 V, 1 V | |||
| CSD86311W1723 Texas Instruments | от 13 ₽ | ||
| CSD86311W1723 Texas Instruments | 41 ₽ | ||
| CSD86311W1723 Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD86311W1723 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 12 |
| Package Type | YZG |
| Industry STD Term | DSBGA |
| JEDEC Code | R-XBGA-N |
| Package QTY | 3000 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 86311 |
| Thickness (мм) | .375 |
| Pitch (мм) | .5 |
| Max Height (мм) | .625 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Dual Common Source |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 4.5 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 4.5 A |
| Корпус | WLP1.7x2.3 мм |
| QG Typ | 3.1 nC |
| QGD Typ | 0.33 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 31 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 42 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
