Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMZ350XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.87 А, SOT883

NXP PMZ350XN

Наименование модели: PMZ350XN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.87 А, SOT883

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMZ350XN
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 -- 21 February 2008
BOTTOM VIEW
Product data sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.87 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.35 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-883
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Rohm - QS5K2TR

На английском языке: Datasheet PMZ350XN - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 1.87 A, SOT883

    МОП-транзистор TAPE7 МОП-транзистор
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMZ350XN15,50 руб.
    КремнийPMZ350XN,315по запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургNXPPMZ350XN T/Rпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс