Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SIS330DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, PPK 1212

Наименование модели: SIS330DN-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 35 А, PPK 1212

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiS330DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 35 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0045 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 52 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SIS330DN-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 30 V, 35 A, PPK 1212

    МОП-транзистор 30 Volts 35 Amps 52 Watts
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс