Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet DMG8880LSS - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 30 В, 11.6 А, SO8

Diodes DMG8880LSS

Наименование модели: DMG8880LSS

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 30 В, 11.6 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMG8880LSS
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· · · · · · · Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 11.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.007 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.43 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMG8880LSS - Diodes MOSFET, N CH, W DIO, 30 V, 11.6 A, SO8

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    Цены на DMG8880LSS
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанDiodesDMG8880LSS-13150 руб.
    КремнийDMG8880LSS-13по запросу
    LifeElectronicsDiodesDMG8880LSSпо запросу
    TradeElectronicsDiodesDMG8880LSS-13по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс