LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet PMN28UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 12 В, 5.7 А, SOT457 — Даташит

NXP PMN28UN

Наименование модели: PMN28UN

14 предложений от 14 поставщиков
Compliant 15 ns Tape & Reel 15 ns 34 mΩ SOT 6 Obsolete (Last Updated: 1 day ago)
AiPCBA
Весь мир
PMN28UN,165
NXP
20 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMN28UN,165
NXP
21 ₽
PMN28UN /T3
NXP
по запросу
Akcel
Весь мир
PMN28UN,135
Nexperia
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 12 В, 5.7 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN28UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 27 September 2002
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 12 В
  • On Resistance Rds(on): 0.028 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMN28UN - NXP MOSFET, N CH, 12 V, 5.7 A, SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России