Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMGD280UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363

NXP PMGD280UN

Наименование модели: PMGD280UN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD280UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev. 01 -- 10 February 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 870 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 400 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMGD280UN - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 0.87 A, SOT363

    Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET
    Цены на PMGD280UN
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMGD280UN6,72 руб.
    КремнийPMGD280UN T/Rпо запросу
    TradeElectronicsNXPPMGD280UNпо запросу
    МосЧипNXPPMGD280UN,115по запросу
    ИнтерияPMGD280UN,115по запросу
    Все 6 предложений от 6 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс