Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMDT290UNE - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 800 мА, SOT666

NXP PMDT290UNE

Наименование модели: PMDT290UNE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 800 мА, SOT666

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T6
PMDT290UNE
20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 13 September 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 800 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.29 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 750 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMDT290UNE - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 20 V, 800 mA, SOT666

    MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666
    Цены на PMDT290UNE
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMDT290UNE,11511,50 руб.
    ТаймЧипсNXPPMDT290UNE,115по запросу
    КремнийNXPPMDT290UNE115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс