Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMN25UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 6 А, SOT457

NXP PMN25UN

Наименование модели: PMN25UN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 6 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN25UN
20 V, 6 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 28 July 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.023 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 530 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMN25UN - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 20 V, 6 A, SOT457

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMN25UN9,39 руб.
    ДКО ЭлектронщикNXPPMN25UN.115по запросу
    КремнийPMN25UN,115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс