HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PMT29EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6 А, SOT223 — Даташит

NXP PMT29EN

Наименование модели: PMT29EN

11 предложений от 8 поставщиков
TRANSISTOR 6000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, FET General Purpose Small Signal
AiPCBA
Весь мир
PMT29EN135
NXP
13 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMT29EN135
NXP
13 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PMT29EN.115
2 709 ₽
Acme Chip
Весь мир
PMT29EN
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6 А, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T2
PMT29EN
30 V, 6 A N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 31 August 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.024 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 820 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMT29EN - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 30 V, 6 A, SOT223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России