Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PSMN8R0-30YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 54 А, LFPAK — Даташит

NXP PSMN8R0-30YLC

Наименование модели: PSMN8R0-30YLC

7 предложений от 7 поставщиков
МОП-транзистор N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET
AiPCBA
Весь мир
PSMN8R0-30YLC115
NXP
12 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN8R0-30YLC115
NXP
12 ₽
Utmel
Весь мир
PSMN8R0-30YLC,115
NXP
по запросу
МосЧип
Россия
PSMN8R0-30YLC
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 54 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LF PA K
PSMN8R0-30YLC
N-channel 30 V 7.9 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
Rev.

2 -- 1 September 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 54 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0067 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.59 В
  • Рассеиваемая мощность: 42 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN8R030YLC, PSMN8R0 30YLC

На английском языке: Datasheet PSMN8R0-30YLC - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 54 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России