Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGD8205ANT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 350 В, 20 А, DPAK

ON Semiconductor NGD8205ANT4G

Наименование модели: NGD8205ANT4G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 350 В, 20 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGD8205N, NGD8205AN Ignition IGBT
20 Amp, 350 Volt, N-Channel DPAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
http://onsemi.com

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.3 В
  • DC Collector Current: 20 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet NGD8205ANT4G - ON Semiconductor IGBT, IGNITION, N-CH, 350 V, 20 A, DPAK

    NGD8205ANT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 69,40 до 176,59 руб.
    Исполнение: DPAK-2. Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 350 V IGBT транзистор NGD8205ANT4G. Описание в формате PDF
    Цены на NGD8205ANT4G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанON SemiconductorNGD8205ANT4G69,40 руб.
    ICdaromON SemiconductorNGD8205ANT4Gот 78,65 руб.
    ДКО ЭлектронщикON SemiconductorNGD8205ANT4Gот 83,50 руб.
    ДессиON SemiconductorIGBT транзистор NGD8205ANT4G176,59 руб.
    TradeElectronicsON SemiconductorNGD8205ANT4Gпо запросу
    Все 15 предложений от 9 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс