Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGTB20N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 20 А, TO247

ON Semiconductor NGTB20N120IHLWG

Наименование модели: NGTB20N120IHLWG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 20 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB20N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
  • DC Collector Current: 20 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet NGTB20N120IHLWG - ON Semiconductor IGBT, 1200 V, 20 A, TO247

    Исполнение: TO-247-3. IGBT 1200V 20A FS1 Induction Heating IGBT транзистор NGTB20N120IHLWG. Описание в формате PDF
    Цены на NGTB20N120IHLWG
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанON SemiconductorNGTB20N120IHLWG100 руб.
    ICdaromON SemiconductorNGTB20N120IHLWGот 116 руб.
    ТерраэлектроникаON SemiconductorNGTB20N120IHLWGот 141 руб.
    ДессиON SemiconductorIGBT транзистор NGTB20N120IHLWG262 руб.
    КремнийON SemiconductorNGTB20N120IHLWGпо запросу
    Все 15 предложений от 9 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс