ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet VS-GB50YF120N - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 50 А, 4PACK — Даташит

Наименование модели: VS-GB50YF120N

7 предложений от 7 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp
ЧипСити
Россия
VS-GB50YF120N
Vishay
12 191 ₽
AiPCBA
Весь мир
VS-GB50YF120N
Vishay
12 956 ₽
VS-GB50YF120N
Vishay
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
VS-GB50YF120N
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 50 А, 4PACK

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 4.15 В
  • DC Collector Current: 66 А
  • Количество выводов: 35
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рассеиваемая мощность: 330 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

VSGB50YF120N, VS GB50YF120N

На английском языке: Datasheet VS-GB50YF120N - Vishay IGBT MODULE, 1200 V, 50 A, 4PACK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России