Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN016-100XS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 32.1 А, TO220F

NXP PSMN016-100XS

Наименование модели: PSMN016-100XS

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 32.1 А, TO220F

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TO -2
20F
PSMN016-100XS
N-channel 100V 16 m standard level MOSFET in TO220F (SOT186A)
Rev. 4 -- 6 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 32.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220F
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 46.1 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PSMN016-100XS - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 32.1 A, TO220F

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP138 руб.
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс