Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN3R8-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK

NXP PSMN3R8-100BS

Наименование модели: PSMN3R8-100BS

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN3R8-100BS
N-channel 100 V 3.9 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev. 2 -- 29 February 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00328 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 306 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PSMN3R8-100BS - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 120 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP144 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс