Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SIRA04DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAKSO-8

Vishay SIRA04DP-T1-GE3

Наименование модели: SIRA04DP-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAKSO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiRA04DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0018 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PowerPAK SO
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 27.7 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SIRA04DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, 30 V, 40 A, PPAKSO-8

    MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK
    Цены на SIRA04DP-T1-GE3
    ПоставщикПроизводительЦена
    ТерраэлектроникаVishayот 140 руб.
    ЭлитанVishay213 руб.
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    ТаймЧипсVishayпо запросу
    Все 6 предложений от 4 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс