Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB14NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 12 А, D2PAK

STMicroelectronics STB14NM50N

Наименование модели: STB14NM50N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 12 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 12 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP
Features
Type STB14NM50N STD14NM50N STF14NM50N STP14NM50N
VDSS @ TJmax

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 90 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB14NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 500 V, 12 A, D2PAK

    MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
    Цены на STB14NM50N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics81,30 руб.
    Контестпо запросу
    Океан ЭлектроникиSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс