Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB25NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, D2PAK

STMicroelectronics STB25NM60ND

Наименование модели: STB25NM60ND

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx25NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 21 A FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
TAB
Type STB25NM60ND STF25NM60ND STP25NM60ND STW25NM60ND

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 21 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.13 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 160 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB25NM60ND - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 21 A, D2PAK

    N-channel 600 v - 0.13 ? - 21 a fdmeshв„ў ii power mosfet d2pak
    Цены на STB25NM60ND
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics117 руб.
    КонтестSTMicroelectronics164 руб.
    Океан ЭлектроникиSTMicroelectronicsпо запросу
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс